可用于音频功放的过温保护电路设计

[09-14 01:03:42]   来源:http://www.88dzw.com  电子制作   阅读:8378

文章摘要: 偏着电路:此部分电路的工作原理与产生PTAT电流电路的原理基本相同,输出端的电压为其它电路提供偏置。M36、M45、Q4组成的支路将在右端支路的电流取出,经过滤波、放大后又镜像回去,在M34、M42、Q1的支路上输出一个偏置电压信号。由于电流镜的工作原理,所以要求M34~M36和M42~M45均为相同的对管。另外,此电路中M33作为关断管,当Shut信号为高电平时,M33就会处于导通状态,这样这届就会将M34、M35关断,使得整个电路关断。 热敏关断保护电路:由于基准电路输出的偏置电压加到M39、M51、M52栅极上,所以在这两条支路上都会产生PTAT电流。采用M41、M47、M

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    偏着电路:此部分电路的工作原理与产生PTAT电流电路的原理基本相同,输出端的电压为其它电路提供偏置。M36、M45、Q4组成的支路将在右端支路的电流取出,经过滤波、放大后又镜像回去,在M34、M42、Q1的支路上输出一个偏置电压信号。由于电流镜的工作原理,所以要求M34~M36和M42~M45均为相同的对管。另外,此电路中M33作为关断管,当Shut信号为高电平时,M33就会处于导通状态,这样这届就会将M34、M35关断,使得整个电路关断。
    热敏关断保护电路:由于基准电路输出的偏置电压加到M39、M51、M52栅极上,所以在这两条支路上都会产生PTAT电流。采用M41、M47、M48、M49、M50构成的两级比较器来实现原理等效图中Comp的功能。此比较器的第一级为PMOS差动输入。
    用PMOS做差动输人的作用:(1)降低了输入的噪声。正常情况下,温度不可能有很剧烈的变化,因此温度波动的频率不可能很高,所以闪烁噪声1/f将成为噪声的主要成分。由于PMOS输入可降低噪声对电路的影响;(2)PMOS输入使共模输入范围的下限降低。此电路比较器要比较是接近于PN结VBE的电压,用PMOS构成的输入端可更好的满足这种低共模输入电压的要求。比较器的第二级为共源放大器,作为比较器的第二级,其主要作用增大了输出摆幅、提高了增益和输入的分辨率,加快了高低电平的转换速率。电路中电容C0的作用:电容C0可以抑制一些干扰量在比较器通向输入端电阻风上产生的电压波动,以防止系统被扰动引起的误动作。


3 仿真测试
    按照以上设计的电路。用Cadence Specture对其进行仿真,器件的模型参数采用0.35μm CMOS工艺。图2为过温保护电路的输出控制信号TSD,随温度上升和下降的曲线。电源电压取3.3 V。从仿真结果可以看出,该电路实现了良好的“温度迟滞”特性。迟滞功能有效的避免了芯片出现热振荡问题。关断温度TH160°和恢复温度TL140°。


4 结束语
    文中设计的过热保护电路,利用PTAT电流来检测温度的变化,并转换成电压信号输入两级比较器进行比较,从而产生过热保护信号。比较器的迟滞效应能有效防止热振荡现象的发生。该电路对温度感应灵敏度高,非常适合集成在集成电路芯片中。

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1.2 温度翻转点的计算
    A点的电压VA为PN结两边电压,PN结电压的表达式可写为
   
    式中VG为带隙电压,γ和α为器件参数,A代表了那些方程推到过程中与温度无关的常量。因为Vt=kt/q,可以得到VBE随温度上升是降低的。其关于温度变化的方程为
   
    如果忽略由温度变化引起lnT项变化对式(2)的影响,dVBE/dT可近似等于常数C0。常温下C0约为-2 mV/K。为了简化计算,则PN结关于温度的变化方程可近似线性为
   
    B点的电压为电阻上的电压,可由欧姆定理计算得到。计算温度上升翻转点TH,当温度上升时,由前分析可知,TSD为高电平,M2截止。因此流入R0的电流只有I1一路。此状态下VB电压的表达式为
   

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