可控硅移相触发器KC04典型应用电路图
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文章摘要:相关元件PDF下载:KC04 可控硅移相触发器KC04电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中,作可控硅的双路脉冲移相触发。KC04器件输出两路相差l80的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器电路。该电路具有输出负载能力大、移相性能好、正负半周脉冲相位均衡性好、移相范围宽、对同步电压要求低、有脉冲列调制输出端等功能和特点。 电参数如下:电源电压:直流+15V,一l5V,允许波动±5%(±100,6功能正常)。电源电流:正电流≤15mA,负电流≤10mA。同步电压:任意值(一般交流30V)。同步输入端允许最大同步电流:3mA(有效值)。移相范围:≥l70°(同步电压30V,同步输入电阻15~
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KC04
可控硅移相触发器KC04电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中,作可控硅的双路脉冲移相触发。KC04器件输出两路相差l80的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器电路。该电路具有输出负载能力大、移相性能好、正负半周脉冲相位均衡性好、移相范围宽、对同步电压要求低、有脉冲列调制输出端等功能和特点。
电参数如下:电源电压:直流+15V,一l5V,允许波动±5%(±100,6功能正常)。电源电流:正电流≤15mA,负电流≤10mA。同步电压:任意值(一般交流30V)。同步输入端允许最大同步电流:3mA(有效值)。移相范围:≥l70°(同步电压30V,同步输入电阻15~30kΩ)。锯齿波幅度:≥10V(幅度以锯齿波出现平顶为准)。输出脉冲:fl.脉冲宽度:l0µs~2 ms(改变脉宽电容达到)。b.脉冲幅度:>13V。C.最大输出能力:l00mA(流出脉冲电流)。d.输出反压:BVceo≥l8V(测试条件:Ie≤l00µA)。正负半周脉冲相位不均衡度≤±3°。 ‘使用环境温度:-l0~70℃。


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