单端数字音频放大器设计中的考虑要素

文章摘要：SE分割模式架构需要解决另两个设计问题。如先前提到的，重构滤波器后面的音频信号有值为PVDD/2的DC成分。若Cs是理想的，则(Cs和Cb)都将被充电至PVDD/2，且没有DC成分通过扬声器。但是由于两个电容都不理想且都有容差，所以DC电压不会等于PVDD/2。因此，当音频信号最初被加至扬声器时，将有DC电压流经扬声器，所以在上电时会听到噼啪的噪声。由于分割电容以时间常数为RC的固定时长充电，所以会产生另一个相关问题。只要MOSFET不在分割电容完成充完之前切换，就不会引发这些问题。但实际上这样做很困难，因而会产生长的噼啪噪音。 有一种方案可解决上述两个问题，即能将电压快速充至PVDD/2的

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SE分割模式架构需要解决另两个设计问题。如先前提到的，重构滤波器后面的音频信号有值为PVDD/2的DC成分。若Cs是理想的，则(Cs和Cb)都将被充电至PVDD/2，且没有DC成分通过扬声器。但是由于两个电容都不理想且都有容差，所以DC电压不会等于PVDD/2。因此，当音频信号最初被加至扬声器时，将有DC电压流经扬声器，所以在上电时会听到噼啪的噪声。由于分割电容以时间常数为RC的固定时长充电，所以会产生另一个相关问题。只要MOSFET不在分割电容完成充完之前切换，就不会引发这些问题。但实际上这样做很困难，因而会产生长的噼啪噪音。 

有一种方案可解决上述两个问题，即能将电压快速充至PVDD/2的半桥功率级，例如TAS5186A。该方案具有50%的占空比，DC电压输出是PVDD/2，且分割电容可被快速、准确地充电。另一个快速充电分割电容的方法是利用运放。在没有专用半桥时，采用运放是一种行之有效的办法。 

在实际应用中，单端放大器音频性能指标(包括开机噪音、信噪比、PSRR和THD+N等)都相当理想，只比BTL的音频性能稍显逊色。 

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