便携式电子产品的电路保护

[10-10 20:42:03]   来源:http://www.88dzw.com  电子制作   阅读:8173

文章摘要:图8 PESD的抑制特性曲线ESD的主要特性:泄露电流要小,响应时间要短(<1ns),相位电压要低,电容量要小。 PESD有俩种型号:PESD0603-240及PESD0402-140,其电气特性如表1所示,其抑制特性曲线如图8所示。 ESD元件最重要的参数是电容量。一般MLV的电容量是40~220pf,E系列的电容量是3~12pf;而PESD的电容量仅为0.25pf。 图9 2.25GHz下的ESD保护元件眼图图10 3.4GHz下的PESD眼图图11 显示端口保护电路不同工作频率及要求ESD保护元件的电容量关系如表2所示。常用的ESD保护元件比较如表3所示。 采用硅ESD保护元件在2

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  图8 PESD的抑制特性曲线

  ESD的主要特性:泄露电流要小,响应时间要短(<1ns),相位电压要低,电容量要小。

  PESD有俩种型号:PESD0603-240及PESD0402-140,其电气特性如表1所示,其抑制特性曲线如图8所示。


  ESD元件最重要的参数是电容量。一般MLV的电容量是40~220pf,E系列的电容量是3~12pf;而PESD的电容量仅为0.25pf。

  图9 2.25GHz下的ESD保护元件眼图


  图10 3.4GHz下的PESD眼图


图11 显示端口保护电路

  不同工作频率及要求ESD保护元件的电容量关系如表2所示。常用的ESD保护元件比较如表3所示。

  采用硅ESD保护元件在2.25GHz时的眼图如图9所示,而采用PESD元件在3.4GHz时的眼图如图10所示,这两图的比较说明了PESD的优良性能。

  图11是一种典型的显示端口保护电路。2.7GHz的高频信号线采用8个PESD保护元件,辅助通道工作频率为1MHz,采用5个MLV保护元件;在低压直流电源中则采用了PolySwitchTM元件作过流保护。这样的设计既满足电路能耗要求,并且降低了成本。
 

 
  图12 USB2.0接口保护电路


图13 IEEE1394接口保护电路

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  图12及图13分别是USB2.0接口电路的保护电路设计及IEEE1394接口电路的保护电路设计。
 


PolyZenTM元件及其应用电路

  PolyZenTM元件器件是由精密齐纳二极管和聚合物正温度系数(PPTC)元件组合而成的集成电路。它是用于防止感应尖峰电压、瞬间高电压、错用电源适配器对电路产生过压、过流危害的保护器件,内部结构如图14所示。其典型应用电路如图15所示。在图15中,RLOAD为被保护的下游电路。 
 

  图14 PolyZenTM元件内部结构

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