GTR的基极驱动电路特点

文章摘要：总的指导思想是：尽量缩短开通与关断的时吕志间。如图所示。（1）从截止转为饱和：为了使晶体管尽快进入饱和状态，开始导通时的基极电流应大一些。当晶体管已经进入饱和状态后，为了便于在切换时容易退出饱和状态，应适当减小基极电流，减轻饱和深度。（2）从截止转为饱和：为了使晶体管尽快截止，应在基极（b）和发射极（e）之间进行反向偏置。在b-e极间刚开始加入反向电压时，基区里过剩的载流子被迅速抽出，故有较大的反向电流。由于晶体管b、e间的反向击穿电压UEB0较低（常小于6V），为了防止在反向偏置时被击穿，在b、e极间须接入保护电阻或二极管等。目前，GTR的驱动大多采用集成驱动电路，如图（b）所示。图中，晶体

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总的指导思想是：尽量缩短开通与关断的时吕志间。如图所示。
　　（1）从截止转为饱和：为了使晶体管尽快进入饱和状态，开始导通时的基极电流应大一些。当晶体管已经进入饱和状态后，为了便于在切换时容易退出饱和状态，应适当减小基极电流，减轻饱和深度。
　　（2）从截止转为饱和：为了使晶体管尽快截止，应在基极（b）和发射极（e）之间进行反向偏置。在b-e极间刚开始加入反向电压时，基区里过剩的载流子被迅速抽出，故有较大的反向电流。

　　由于晶体管b、e间的反向击穿电压UEB0较低（常小于6V），为了防止在反向偏置时被击穿，在b、e极间须接入保护电阻或二极管等。
　　目前，GTR的驱动大多采用集成驱动电路，如图（b）所示。图中，晶体管V1和V2构成外接的互补驱动电路，V1用于向GTR（VT）提供正向驱动电流，V2则提供反向偏置。