当前位置：液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）
[08-09 20:46:17] 来源：http://www.88dzw.com 蚀刻网印 阅读：8117次
文章摘要：（5）曝光时底片药膜面务必朝下，使其紧贴感光膜面，以提高解像力。 ６． 显影（Developing） 显影即去掉（溶解掉）未感光的非图形部分湿膜，留下已感光硬化的图形部分。其方法一般有手工显影和机器喷淋显影。 该工序工作条件同涂覆工序。 机器显影配方及工艺规范 Na2CO30.8～1.2% 消泡剂 0.1% 温度 30±2℃ 显影时间 40±10秒 喷淋压力 1.5～3kg/cm2 操作时显像点（Breok Point Control)控制在1/3～1/2处。为保证显影质量，必须控制显影液浓度、温度以及显影时间在适当的操作范围内。温度太高（35℃以上）或显影时间太长（超过90秒以上），会造成
液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）,标签：蚀刻加工,蚀刻技术,http://www.88dzw.com（5）曝光时底片药膜面务必朝下，使其紧贴感光膜面，以提高解像力。
６． 显影（Developing）
显影即去掉（溶解掉）未感光的非图形部分湿膜，留下已感光硬化的图形部分。其方法一般有手工显影和机器喷淋显影。
该工序工作条件同涂覆工序。
机器显影配方及工艺规范
Na2CO3 0.8～1.2%
消泡剂 0.1%
温 度 30±2℃
显影时间 40±10秒
喷淋压力 1.5～3kg/cm2
操作时显像点（Breok Point Control)控制在1/3～1/2处。为保证显影质量，必须控制显影液浓度、温度以及显影时间在适当的操作范围内。温度太高（35℃以上）或显影时间太长（超过90秒以上），会造成皮膜质量、硬度和耐化学腐蚀性降低。
显影后有余胶产生，大多与工艺参数有关，主要有以下几种可能：
①显影温度不够；
②Na2CO3浓度偏低；
③喷淋压力小；
④传送速度较快，显影不彻底；
⑤曝光过度；
⑥叠板。
该工序操作注意事项
（1）若生产中发现有湿膜进入孔内，需要将喷射压力调高和延长显影时间。显影后应认真检查孔内是否干净，若有残胶应返工重显。
（2）显影液使用一段时间后，能力下降，应更换新液。实验证明，当显影液PH值降至10.2时，显影液已失去活性，为保证图像质量，PH＝10.5时的制版量定为换缸时间。
（3）显影后应充分洗净，以免碱液带入蚀刻液中。
（4）若产生开路、短路、露铜等现象，其原因一般是底片上有损伤或杂物。
７．干燥
为使膜层具有优良的抗蚀抗电镀能力，显影后应再干燥，其条件为温度100℃，时间1～2分钟。固化后膜层硬度应达到2H～3H。
８． 检查修版
修版实际上是进行自检，其目的主要是：修补图形线路上的缺陷部分，去除与图形要求无关的部分，即去除多余的如毛刺、胶点等，补上缺少的如针孔、缺口、断线等。一般原则是先刮后补，这样容易保证修版质量。
常用修版液有虫胶、沥青、 耐酸油墨等，比较简便的是虫胶液，其配方如下：
虫 胶 100～150g/l
甲基紫 1～2g/l
无水乙醇 适量
修版要求：图形正确，对位准确，精度符合工艺要求；导电图形边缘整齐光滑，无残胶、油污、指纹、针孔、缺口及其它杂质，孔壁无残膜及异物；90%的修版工作量都是由于曝光工具不干净所造成，故操作时应经常检查底片，并用酒精清洗晒匣和底片，以减少修版量。修版时应注意戴细纱手套，以防手汗污染版面。若头两道工序做得相当好，几乎无修版量，可省掉修版工序。
９．去膜（Strip）
蚀刻（Etching）或电镀（Plating）完毕，必须去除抗蚀保护膜，通常去膜采用4～8%的NaOH水溶液，加热膨胀剥离分化而达到目的。方法有手工去膜和机器喷淋去膜。
采用喷淋去膜机，其喷射压力为2～3kg/cm2，去膜质量好，去除干净彻底，生产效率高。提高温度可增加去膜速度，但温度过高，易产生黑孔现象，故温度一般宜采用50～60℃。
去膜后务必清洁干净，若去膜后表面有余胶，其原因主要是烘烤工序的工艺参数不正确，一般是烘烤过度。
以上讨论，部分代表个人经验之谈，总而言之，严格控制工艺条件，是保证产品质量的前提。只有根据各个公司的工艺装备和工艺技术水平，采用行之有效的操作技巧及工艺方法，加强全面质量管理(TQM)，才能大大提高产品的合格率。
目前，集成电路和封装技术的迅速发展，对PCB线路精细程度要求越来越高．综上所述采用液态光致抗蚀剂图形转移工艺，不仅可以提高线路的制作精细度，而且可降低生产成本，还可利用原有设备，操作工艺也易掌握。液态光致抗蚀剂图形转移工艺已成为适合高精度高密度要求的图形制作工艺。我们相信，通过生产实践，会使其工艺更加完善。
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