当前位置：液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）
[08-09 20:46:17] 来源：http://www.88dzw.com 蚀刻网印 阅读：8117次
文章摘要：该工序操作应注意 （1）预烘后，板子应经风冷或自然冷却后再进行底片对位曝光。 （2）不要使用自然干燥，且干燥必须完全，否则易粘底片而致曝光不良。预烘后感光膜皮膜硬度应为 HB～1H。 （3）若采用烘箱，一定要带有鼓风和恒温控制，以使预烘温度均匀。而且烘箱应清洁，无杂质，以免掉落在板上，损伤膜面。 （4）预烘后，涂膜到显影搁置时间最多不超过48hr，湿度大时尽量在12hr内曝光显影。 （5）对于液态光致抗蚀剂型号不同要求也不同，应仔细阅读说明书，并根据生产实践调整工艺参数，如厚度、温度、时间等。 4．定位（Fixed Postion） 随着高密度互连技术（HDI）应用不断扩大，分辨率和定位度已
液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）,标签：蚀刻加工,蚀刻技术,http://www.88dzw.com该工序操作应注意
（1）预烘后，板子应经风冷或自然冷却后再进行底片对位曝光。
（2）不要使用自然干燥，且干燥必须完全，否则易粘底片而致曝光不良。预烘后感光膜皮膜硬度应为 HB～1H。
（3）若采用烘箱，一定要带有鼓风和恒温控制，以使预烘温度均匀。而且烘箱应清洁，无杂质，以免掉落在板上，损伤膜面。
（4）预烘后，涂膜到显影搁置时间最多不超过48hr，湿度大时尽量在12hr内曝光显影。
（5）对于液态光致抗蚀剂型号不同要求也不同，应仔细阅读说明书，并根据生产实践调整工艺参数，如厚度、温度、时间等。
4．定位（Fixed Postion）
随着高密度互连技术（HDI）应用不断扩大，分辨率和定位度已成为PCB制造厂家面临的重大挑战。电路密度越高，要求定位越精确。定位的方法有目视定位、活动销钉定位，固定销钉定位等多种方法。
目视定位是用重氮片（Diazo film）透过图形与印制板孔重合对位，然后贴上粘胶带曝光。重氮片呈棕色或桔红色半透明状态，可以保证较好的重合对位精度。银盐片（Silver Film）也可采用此法，但必须在底片制作透明定位盘才能定位。
活动销钉定位系统包括照相软片冲孔器和双圆孔脱销定位器，其方法是：先将正面，反面两张底版药膜相对对准，用软片冲孔器在有效图形外任意冲两个定位孔，任取一张去编钻孔程序，就可以利用钻床一次性钻孔，印制板金属化孔及预镀铜后，便可用双圆孔脱销定位器定位曝光。
固定销钉定位分两套系统，一套固定照相底版，另一套固定PCB ，通过调整两销钉的位置，实现照相底版与PCB的重合对准。
５．曝光（Exposuring）
液态光致抗蚀剂经UV光（300～400nm）照射后发生交联聚合反应，受光照部分成膜硬化而不被显影液所影响。通常选用的曝光灯灯源为高亮度、中压型汞灯或者金属卤化物汞灯。灯管6000W，曝光量100～300mj/cm2,密度测定采用21级光密度表(Stouffer21)，以确定最佳曝光参数，通常为6～8级。液态光致抗蚀剂对曝光采用平行光要求不严格，但其感光速度不及干膜，因此应使用高效率曝光机(Drawer)。
光聚合反应取决于灯的光强和曝光时间，灯的光强与激发电压有关，与灯管使用时间有关。因此，为保证光聚合反应足够的光能量，必须由光能量积分仪来控制，其作用原理是保证曝光过程中灯光强度发生变化时，能自动调整曝光时间来维持总曝光能量不变，曝光时间为25～50秒。
影响曝光时间的因素：
（1）灯光的距离越近，曝光时间越短；
（2）液态光致抗蚀剂厚度越厚，曝光时间越长；
（3）空气湿度越大，曝光时间越长；
（4）预烘温度越高，曝光时间越短。
当曝光过度时，易形成散光折射，线宽减小，显影困难。当曝光不足时，显影易出现针孔、发毛、脱落等缺陷，抗蚀性和抗电镀性下降。因此选择最佳曝光参数是控制显影效果的重要条件。
底片质量的好坏，直接影响曝光质量，因此，底片图形线路清晰，不能有任何发晕、虚边等现象，要求无针孔、沙眼，稳定性好。底片要求黑白反差大：银盐片光密度（Density）DMAX≥3.5，DMIN ≤0.15；重氮片光密度DMAX≥1.2,DMIN≤0.1。
一般来说，底片制作完后，从一个工序（工厂）传送到另一个工序（工厂），或存贮一段时间，才进入黄光室，这样经历不同的环境，底片尺寸稳定性难以保证。本人认为制完底片应直接进入黄光室，每张底片制作80多块板，便应废弃。这样可避免图形的微变形，尤其是微孔技术更应重视这一点。
曝光工序操作注意事项
（1）曝光机抽真空晒匣必不可少，真空度≥90%，只通过抽真空将底片与工件紧密贴合，才能保证图像无畸变，以提高精度。
（2）曝光操作时，若出现粘生产底片，可能是预烘不够或者晒匣真空太强等原因造成，应及时调整预烘温度和时间或者检查晒匣抽真空情况。
（3）曝光停止后，应立即取出板件，否则，灯内余光会造成显影后有余胶。
（4）工作条件必须达到：无尘黄光操作室，清洁度为10000～100000级，有空调设施。曝光机应具有冷却排风系统。
- 上一篇：真空蚀刻技术
《液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）》相关文章
- › 新型PCB用油墨 液态光致抗蚀油墨（推荐）
- › 液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）
- 在百度中搜索相关文章：液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）
- 在谷歌中搜索相关文章：液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）
- 在soso中搜索相关文章：液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）
- 在搜狗中搜索相关文章：液态光致抗蚀刻及图形转移工艺（推荐）