mems压力传感器

文章摘要：图1.21 基于键合SOI衬底的高温压力传感器 键合技术还可以制备高温压力传感器，主要的工艺包括：（1）器件硅片用掩模层（比如光刻胶）掩模光刻后，用离子注入形成P++的压敏电阻器；（2）器件硅片除去光刻胶，与另外一个热氧化的硅片键合，形成了一个SOI结构；（3）器件硅片背面减薄和选择性腐蚀，除去器件硅片的其余硅，留下SiO2上面的P++的压敏电阻器；（4）硅片背面腐蚀出一个空腔；正面淀积高温金属并光刻，就可以制备一个完整的高温压力传感器，如图1.21所示。由于没有p-n结有关的泄漏和离子污染引起的电阻的不稳定性，并且重掺杂的电阻对温度不敏感，应用温度可以超过250℃[37]。上一页 [1]

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图1.21 基于键合SOI衬底的高温压力传感器

键合技术还可以制备高温压力传感器，主要的工艺包括：（1）器件硅片用掩模层（比如光刻胶）掩模光刻后，用离子注入形成P⁺⁺的压敏电阻器；（2）器件硅片除去光刻胶，与另外一个热氧化的硅片键合，形成了一个SOI结构；（3）器件硅片背面减薄和选择性腐蚀，除去器件硅片的其余硅，留下SiO₂上面的P⁺⁺的压敏电阻器；（4）硅片背面腐蚀出一个空腔；正面淀积高温金属并光刻，就可以制备一个完整的高温压力传感器，如图1.21所示。由于没有p-n结有关的泄漏和离子污染引起的电阻的不稳定性，并且重掺杂的电阻对温度不敏感，应用温度可以超过250℃^[37]。

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