释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术

[09-12 18:52:35]   来源:http://www.88dzw.com  PCB设计   阅读:8551

文章摘要:湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺,总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON China期间推出了干法刻蚀模块与氧化物释放技术,该技术为MEMS器件设计师提供了更多的生产选择,同时带来了宽泛的制造工艺窗口,从而使良率得到了提升。SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar SVR-Xe 牺牲性汽相释放模块,利用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物,从而释放MEMS机械结构。SVR蚀刻方法可以完全地去除牺牲材料而不损害机械结构或导致黏附,它同时提供了高度的可选择性、可重复性和均匀性。SVR保留有干燥的表面,没有任何残留物或水汽,这

释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术,标签:pcb培训,pcb是什么,pcb软件,http://www.88dzw.com

  湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺,总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON China期间推出了干法刻蚀模块与氧化物释放技术,该技术为MEMS器件设计师提供了更多的生产选择,同时带来了宽泛的制造工艺窗口,从而使良率得到了提升。

  SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar  SVR-Xe 牺牲性汽相释放模块,利用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物,从而释放MEMS机械结构。SVR蚀刻方法可以完全地去除牺牲材料而不损害机械结构或导致黏附,它同时提供了高度的可选择性、可重复性和均匀性。SVR保留有干燥的表面,没有任何残留物或水汽,这也省去了包含在湿法工艺中的表面准备、引入酸、中和以及随后的干燥等步骤。

  SVR与CMOS工艺和CMOS晶圆设施是兼容的,这使得MEMS器件可以像传统的集成电路一样在相同的设施和基板上进行生产,这也将适用于新类型的单片MEMS/CMOS 器件。SVR进一步的好处包括减少材料的使用和更低的浪费。



Tag:PCB设计pcb培训,pcb是什么,pcb软件PCB设计

《释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术》相关文章