美的MC-GY182型电磁灶IGBT管容易损坏的原因分析

文章摘要： 功率输出管 IGBT 管工作在高电压大电流开关状态中，是易损件，与IGBT 管损坏密切相关的有以下因素：（1）加热主回路中的高频谐振电容C15（0.27μF／1200V）。如果电容变值，必然会改变谐振频率。电容容量变小，谐振频率就升高，逆程反峰电压必然就升高，当超过其设计耐压值时。导致IGBT 管过压击穿。如果电容容量较大，谐振频率必然降低，IGBT 管因不能彻底过零导通，使损耗增大，因发热快而烧坏。若提锅时发生爆机（IGBT 管损坏），则是C15 容量过大；若放锅时发生爆机，则是C15 容量过小。（2）浪涌检测保护电路有故障。该电路通过高阻值电阻取样，这些高阻值电阻接在+300V 电

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    功率输出管 IGBT 管工作在高电压大电流开关状态中，是易损件，与IGBT 管损坏密切相关的有以下因素：

　　（1）加热主回路中的高频谐振电容C15（0.27μF／1200V）。如果电容变值，必然会改变谐振频率。电容容量变小，谐振频率就升高，逆程反峰电压必然就升高，当超过其设计耐压值时。导致IGBT 管过压击穿。如果电容容量较大，谐振频率必然降低，IGBT 管因不能彻底过零导通，使损耗增大，因发热快而烧坏。若提锅时发生爆机（IGBT 管损坏），则是C15 容量过大；若放锅时发生爆机，则是C15 容量过小。

　　（2）浪涌检测保护电路有故障。该电路通过高阻值电阻取样，这些高阻值电阻接在+300V 电压端，最容易变值损坏，往往变大或变为无穷大，使浪涌检测保护电路得不到取样信号而失灵，IGBT管因得不到保护而过压击穿。

　　（3）IGBT 管的驱动电压低。驱动电压偏低，会使IGBT 管因欠激励而过热烧毁。因此，需要检查Q9 发射极的118V 电压和R58 与R59 之间的电压是否正常。R58、R59 是否变大，EC9 是否变质。

　　（4）同步电路有故障。同步电路的高阻值取样电阻因接在发热线盘两端的高压端而容易损坏变值。其损坏后，使IGBT 管G 极上的开关脉冲前沿与集电极上的峰值脉冲电压后沿不同步。使IGBT管击穿损坏，或造成电磁灶不加热。另外，比较器IC2D 性能不良也会引发屡损IGBT 管。

　　（5）+300V 滤波电容C14（5μF／400DC）干涸、漏电、容量变小，使滤波不良，交流纹波系数过大会造成IGBT 管不定时的击穿或电磁灶不加热的故障现象。有时还会造成电压稍低时使用大功率挡出现断续加热的现象。

　　（6）整流桥堆RB1 漏电损坏。当整流桥堆RB1漏电损坏时，市电交流电压的窜入同样会使IGBT管击穿损坏。而且，其他因素造成IGBT 管击穿短路后，大量电流通过整流桥堆RB1，造成RB1连带损坏。所以当IGBT 管损坏后，一定要同时查一下整流桥堆不在路的正反向电阻值。

　　（7）IGBT 管Vce 检测保护电路有故障。如果此电路有故障，就会造成IGB3、管集电极的电压超高时，不能及时关断驱动脉冲信号，使IGBT 管过压击穿。维修时重点检查高压取样电阻R37以及R42 是否变大，比较器IC2B 性能是否不良。此外，高压取样电阻损坏还可能出现不检锅的故障。

　　（8）晶振和复位电路有故障。当晶振和复位电路出现故障时，MCU 单片机内部程序混乱，通电后各端口输出状态可能是不确定的，PWM 脉冲输出端及驱动电路输出直流高电平，使IGBT管过流而烧坏。

　　（9）使用的IGBT 管型号不对，如维修时更换的IGBT 管型号不对。其参数也不同，最终因工作状态不佳而损坏。重要的参数是IGBT 管的集电极耐压和G 极激励电压。一般IGBT 管集电极的耐压为1200V，G 极激励电压为15～18V。

　　（10）电流检测电路的VR1 调整不当，使IGBT 管损坏。调节VR1 就是调整过流检测保护电路的触发电压和最高挡加热功率的设定。VR1 一旦调乱了，将造成IGBT 管烧毁。正确的检修和调整：

　　1）将RV1 焊下先调在中间的位置上，即可变中间脚至另两固定脚的电阻值相等，而后焊回原位置上。

    2）用钳形电流表卡在电磁灶的一根输入电源线上，仔细微调RV1，使工作电流与计算值相符。电磁灶功率W÷220V=工作电流A。相差不超过0.5A。

　　（11）检修电磁灶时，若对IGBT 管G 极、驱动脉冲信号、MCU 的PWM 输出端、同步电路和谐振电路等引入干扰脉冲，极易造成电路不同步，工作不稳定，使IGBT 管损坏。所以切记在检修电磁灶慎用干扰法。