产生S／R(置位/复位)脉冲电路(集成磁场传感器HMC1001/1002)

文章摘要： S／R脉冲即置位／复位脉冲，其幅度取决于所用MR传感器的测量灵敏度。例如，由HMC1001／1002构成的特斯拉计，当最小可测磁通密度为50nT时，要求脉冲电流的幅度不低于3A；最小可测10nT时，脉冲电流幅度不得小于4A。测量灵敏度愈高，脉冲电流幅度也愈高。利用微处理器产生S／R脉冲的电路如图所示。该电路采用 16～ 20V电源，可产生4A以上的脉冲电流。电路中使用一个HEXFET驱动器IRF7105，内含互补型N沟道、P沟道功率场效应管(、V1、V2)。由μP发出的复位信号直接送至V2的栅极，置位信号则经过2N3904型NPN晶体管接V1的栅极。V1和V2交替地通、断。输出电流通过微分电

产生S／R(置位/复位)脉冲电路(集成磁场传感器HMC1001/1002),标签：传感器原理,电路设计,http://www.88dzw.com

S／R脉冲即置位／复位脉冲，其幅度取决于所用MR传感器的测量灵敏度。例如，由HMC1001／1002构成的特斯拉计，当最小可测磁通密度为50nT时，要求脉冲电流的幅度不低于3A；最小可测10nT时，脉冲电流幅度不得小于4A。测量灵敏度愈高，脉冲电流幅度也愈高。利用微处理器产生S／R脉冲的电路如图所示。该电路采用 16～ 20V电源，可产生4A以上的脉冲电流。电路中使用一个HEXFET驱动器IRF7105，内含互补型N沟道、P沟道功率场效应管(、V1、V2)。由μP发出的复位信号直接送至V2的栅极，置位信号则经过2N3904型NPN晶体管接V1的栅极。V1和V2交替地通、断。输出电流通过微分电容C3后，可得到如图(b)所示的S／R信号，送至HMC1001／1002的S／R 端，S／R-端应接地。产生S／R脉冲的电路必须靠近MR传感器并且要与电源和地接线良好。