如何控制PM4040F应用于硬开关电流过冲

文章摘要：采用PM4040F实际电路应用中由于硬开关会给开关管打开速度过快造成开关管的电流太大，峰值电流往往达到平均电流的5到8倍 ,而正常工作峰值电流平均电流的3到4倍,在没有电流保护的情况下容易烧毁开关管。 按照电路图中接入虚线框内的元件（4148和电阻）到开关管的控制端，（参考电路图）可以起到控制电流过冲的作用！当改变电阻值可以匹配开关管的电流大小。但是由于开关时间的延时会引起开关管损耗增加使开关管的温度上升，所以电阻的取值一定要全面考虑，达到防止电流过冲的同时还有坚固尽量减少开关管的时间损耗。下面是实际应用中实测的波形，见波形图1；和波形图2；两个波形图分别100A的IGBT和200A的IGBT

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采用PM4040F实际电路应用中由于硬开关会给开关管打开速度过快造成开关管的电流太大，峰值电流往往达到平均电流的5到8倍 ,而正常工作峰值电流平均电流的3到4倍,在没有电流保护的情况下容易烧毁开关管。

按照电路图中接入虚线框内的元件（4148和电阻）到开关管的控制端，（参考电路图）可以起到控制电流过冲的作用！当改变电阻值可以匹配开关管的电流大小。但是由于开关时间的延时会引起开关管损耗增加使开关管的温度上升，所以电阻的取值一定要全面考虑，达到防止电流过冲的同时还有坚固尽量减少开关管的时间损耗。下面是实际应用中实测的波形，见波形图1；和波形图2；两个波形图分别100A的IGBT和200A的IGBT，在两个波形中都没有接入栅极电阻，那么波形图1的电流有明显的上冲，而波形图2的电流就没有上冲，原因波形图2是200A则栅极和发射极之间存在较大的电容，削弱了栅极的驱动能力，所以不同电流的IGBT管所需要的栅极电阻是不一样的。那么如果是使用MOSFET管其结果和IGBT是一样的。

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波形图1；驱动100A的IGBT开关管时：

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波形图2；驱动200A的IGBT开关管时：

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