场效应管特性及单端甲类功放制作

文章摘要：二、场效应管的主要参数及选用 为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种，现将主要参数及含义列于表1，作为参考。 表1 场效应管主要参数及含义 符号 名称 含义 BVGSS 栅源耐压 栅源之间的SiO2层很薄，耐压一般只有30～40V BVDSS

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二、场效应管的主要参数及选用
    为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种，现将主要参数及含义列于表1，作为参考。

表1 场效应管主要参数及含义

符号	名称	含义
BVGSS	栅源耐压	栅源之间的SiO2层很薄，耐压一般只有30～40V
BVDSS	源漏耐压	VGS=0，源漏反向漏电流达10uA时的VDS值
VP	夹断电压	在源极接地情况下，为使漏源电流输出为零时的栅源电压
VT	开启电压	当IDS达到1mA时，栅源之间的电压
IGss	漏泄电流	栅一沟道结施加反向电压下的反向电流，结型管为nA级，MOS管为pA级
IDss	饱和漏源电流	零偏压VGS=0时的漏电流
RGS	输入电阻	栅源绝缘电阻，栅一沟道在反偏压下的电阻，结型管为100M Ω，MOS管为10000MΩ以上
RDS	输出电阻	漏极特性曲线斜率的导数，即1/RDS=△ID/△VDS
gm	跨导	表示栅极电压对漏极电流的控制能力
IDs	源漏电流
PD	耗散功率
NF	噪声系数	噪声是管子内载流子不规则运动引起的，场效应管要比晶体管小得多，NF愈小表示管子噪声愈小
CGS	栅源电容	输入电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高
CDS	漏源电容	输出电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高
CGD	栅漏电容	反馈电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高

    场效应管的选用应注意以下几点。

1. 场效应管的ID的参数按电路要求选取，能满足功耗要求并略有余量即可，不要认为越大越好，ID越大，CGS也越大，对电路的高频响应及失真不利，如ID为2A的管子，CGS约为80pF；ID为10A的管子，CGS约为1000pF。使用的可靠性可通过合理的散热设计来保证。
2. 选用VMOS管的源漏极耐压BVDSS不要过高，能达到要求即可。因为BVDSS大的管子饱和压降也大，会影响效率。结型场效应管则要尽可能高些，因为他们本来就不高，一般BVDSS为30～50V，BVGSS为20V。
3. VMOS管的BVGSS尽可能高些，因为VMOS管子栅极很娇气，很容易被击穿，储存或操作要慎之又慎，防止带静电的物体接触管脚。在储存中要将引出脚短路，并用金属盒屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿，尤其要注意不能将管子放入塑料盒子或塑料袋中。为了防止栅极感应击穿，在安装调试中要求一切仪器仪表、电烙铁、电路板以及人体等都必须具有良好的接地效果，在管子接入电路之前，管子的全部引脚都必须保持短接状态，焊接完毕后方可把短接材料拆除。
4. 配对管要求用同厂同批号的，这样参数一致性好。尽量选用孪生配对管，使管子的夹断电压和跨导尽可能保持一致，使配对误差分别小于3％和5％。
5. 尽可能选用音响专用管，这样更能适合音频放大电路的要求。
6. 在安装场效应管时，位置要避免靠近发热元件。为了防止管子振动，要将管子紧固起来，管脚引线在弯曲时，应当大于根部距离5mm处进行弯曲，以防止弯曲时拆断管脚或引起漏气而损坏管子。管子要有良好的散热条件，必须配置足够的散热器，保证管子温度不超过额定值，确保长期稳定可靠工作。

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