IR4010内部电路的原理框电路图

文章摘要：图1所示是IR4010内部电路的原理框图，它说明IR4010器仵的内部电路的组成。这里需要说明的是VCC（反应输人电压）的过、欠压保护功能。在VCC＝16 V时控制电路启动工作，具有6 V滞后锁定功能，即在VCC≤10V时，电路不工作，欠压保护。在VCC＞22V时，电路同样不工作，过压保护。比较器COMP1控制MOSFET关断，当VTH(1)≥0.7 V时关断MOSFET。比较器COMP2控制MOSFET接通，当VTH(2)≤1.45 V时接通MOSFET。通过改变光耦三极管中流过的电流来控制VTH(1)，VTH(2)的变化，同时改变Ton,Toff时间。光耦中的电流越小，Ton,Toff的时

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　　图1所示是IR4010内部电路的原理框图，它说明IR4010器仵的内部电路的组成。这里需要说明的是VCC（反应输人电压）的过、欠压保护功能。在VCC＝16 V时控制电路启动工作，具有6 V滞后锁定功能，即在VCC≤10V时，电路不工作，欠压保护。在VCC＞22V时，电路同样不工作，过压保护。

　　比较器COMP1控制MOSFET关断，当VTH(1)≥0.7 V时关断MOSFET。比较器COMP2控制MOSFET接通，当VTH(2)≤1.45 V时接通MOSFET。通过改变光耦三极管中流过的电流来控制VTH(1)，VTH(2)的变化，同时改变Ton,Toff时间。光耦中的电流越小，Ton,Toff的时间越长，工作频率降低；反之，工作频率升高。以此来实现变频工作的控制。

　　图1所示的电源原理图中，D3、D5、C6、C8、R8电路对反激波形进行整形，整形后的波形为梯形波（U5），此波的下降沿降至1.45 V时，COMP2反转，经过延时Tr后触发MOSFET，此时实现零电流接通。

电路图 src="/pd_dianzi/UploadPic/2013-9/2013913171519829.gif" border=0 style="cursor:pointer;" onload="return imgzoom(this,600);" onclick="javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;"/>

　　图 24 V／2．5 A电源的原理图

　　虽然电路是变频工作，但并不是像谐振电路那样的频率调制（PFM）。因为随着控制电流的改变，Ton的变化速率比Toff的变化速率大，所以此电路实际上是改变占空比的占空比调制。