节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南

文章摘要：实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻 Rb的调整，也可以降低饱和深度。 目前，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。虽然可以调整扼流圈电感及其他元器件参数来控制整机功率，但ts的离散性，将使产品的一致性差，可靠性下降。例如，在石英灯电子变压器线路中，贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管Ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。 如果同一线路上的两个

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实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻 Rb的调整，也可以降低饱和深度。

目前，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。虽然可以调整扼流圈电感及其他元器件参数来控制整机功率，但ts的离散性，将使产品的一致性差，可靠性下降。例如，在石英灯电子变压器线路中，贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管Ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。

如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。

实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hFE参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用BUT11A来做220V40W电子镇流器，其出发点是BVceo、BVcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。

图3：两个不同贮存时间的三极管用于同一线路的Ic波形图。

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