超低压差稳压电路

文章摘要： 采用P沟道MOSFET作调整管在结构上是最简单的，如图5所示。但P沟道MOSFET需占较大的硅片面积；另外，其导通电阻也较N沟道大些，因此，最好是采用N沟道功率MOSFET作调整管，如图6所示。为了保证一定的VGS,以保证足够大的ID及足够小的RDs（on），要保证VGS≈3~5V,即VG=Vout+（3-5v）。为满足这一要求，芯片上加入3个升压电路，提高VG电压。这种升压电路采用升压式电荷泵电路为多，由于它的负载电流很小，其泵电容可做在芯片上。 当输出电流很大时，在结构上采用N沟道功率MOsFET与线性稳压器分开的结构。 12下一页【内容导航】 第1页：第2页：应用电路上

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    采用P沟道MOSFET作调整管在结构上是最简单的，如图5所示。但P沟道MOSFET需占较大的硅片面积；另外，其导通电阻也较N沟道大些，因此，最好是采用N沟道功率MOSFET作调整管，如图6所示。为了保证一定的VGS,以保证足够大的ID及足够小的RDs（on），要保证VGS≈3~5V,即VG=Vout+（3-5v）。为满足这一要求，芯片上加入3个升压电路，提高VG电压。这种升压电路采用升压式电荷泵电路为多，由于它的负载电流很小，其泵电容可做在芯片上。
    当输出电流很大时，在结构上采用N沟道功率MOsFET与线性稳压器分开的结构。