场效应管特点

文章摘要：计算法采用下列公式求解:式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。让我们来看一个例子,电路如图.已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为IDQ=0.30mA；静态管压降VGSQ、VDSQ分别为 JFET

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计算法采用下列公式求解:


　　式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。
　　让我们来看一个例子,电路如图.
　　已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：


　　求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
　　因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为
　　IDQ=0.30mA；
　　静态管压降VGSQ、VDSQ分别为


 

 

JFET

MOSFET　

N

沟　

 

道

P

沟　　

道

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