场效应管的主要参数

文章摘要：（1）最大漏极电流IDM:是允许连续运行的最大漏极电流；（2）击穿电压UDS:在截止状态下，漏极与源极之间的最大维持电压；（3）导通电阻RON:是MOSFET在饱和导通时，D-S间的电阻值。RON具有正温度系数，即电流越大，RON的值也因温度的升高而增大。所以，VM具有自动抑制电流的能力；（4）阀值电压Ucs:能够使MOSFET导通的最低栅极电压。实际使用时，所需栅极电压应为UGS的1.5~2.5倍。在多数情况下，栅极电压都设计为15V;（5）开关频率：MOSFET的开关频率比GTR高1~2个数量级，最高可达500 kHz以上。

场效应管的主要参数,标签：元器件命名参数,http://www.88dzw.com

　　（1）最大漏极电流IDM:是允许连续运行的最大漏极电流；（2）击穿电压UDS:在截止状态下，漏极与源极之间的最大维持电压；（3）导通电阻RON:是MOSFET在饱和导通时，D-S间的电阻值。RON具有正温度系数，即电流越大，RON的值也因温度的升高而增大。

　　所以，VM具有自动抑制电流的能力；（4）阀值电压Ucs:能够使MOSFET导通的最低栅极电压。实际使用时，所需栅极电压应为UGS的1.5~2.5倍。在多数情况下，栅极电压都设计为15V;（5）开关频率：MOSFET的开关频率比GTR高1~2个数量级，最高可达500 kHz以上。