测量CMOS场效应管时的注意事项

文章摘要： N沟道场效应管，在制造时会产生一个寄生二极管，源极为正，漏极为负。测量时先将三脚用表笔短路一下，量到有二极管特性的两极正极是源极，负极是漏极，第三极即为栅极，将栅极接正，源极接负，再正接漏极负接源极，管子应导通。再将三脚短路，复量源栅极应不通，不要一量源漏导通了就认为管子坏了。另外在路量管时，一定要放电容余电，不然给栅极一个导通电压，管子就报销了。因源栅极间电阻可达十的十次方数量级，形成一个源栅电容，很小、有点电荷就产生较高的电压，且不会马上消失，此时管子D-S间只要有电压就会饱和导通，管子必坏无疑。

测量CMOS场效应管时的注意事项,标签：元器件,http://www.88dzw.com
    N沟道场效应管，在制造时会产生一个寄生二极管，源极为正，漏极为负。测量时先将三脚用表笔短路一下，量到有二极管特性的两极正极是源极，负极是漏极，第三极即为栅极，将栅极接正，源极接负，再正接漏极负接源极，管子应导通。再将三脚短路，复量源栅极应不通，不要一量源漏导通了就认为管子坏了。另外在路量管时，一定要放电容余电，不然给栅极一个导通电压，管子就报销了。因源栅极间电阻可达十的十次方数量级，形成一个源栅电容，很小、有点电荷就产生较高的电压，且不会马上消失，此时管子D-S间只要有电压就会饱和导通，管子必坏无疑。