CMOS门压控振荡器

文章摘要： 如图所示电路中A1、A2两个非门组成自激多谐振荡器，随着外加控制电压Vcc的大小不同，电路振荡频率亦随之变化。Vcc值在门电路阈值附近时对RC充放电影响最小，故电路振荡频率最低，Vcc偏离门电路阈值越大，电容充放电越快，故电路振荡频率越耐。

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如图所示电路中A1、A2两个非门组成自激多谐振荡器，随着外加控制电压Vcc的大小不同，电路振荡频率亦随之变化。Vcc值在门电路阈值附近时对RC充放电影响最小，故电路振荡频率最低，Vcc偏离门电路阈值越大，电容充放电越快，故电路振荡频率越耐。