智能充电管理集成电路MAX1870简介及应用

文章摘要：3.3输入电流门限的设置由墙上适配器或其它DC电源输出的总电流是系统供电电流和电池充电电流之和。当输入电流超过预定点时，MAX1870A会降低充电电流，以限制流出墙上适配器的电流。随着系统供电电流的增大，可用于充电的电流会下降。在充电电流降到零后，若系统电流继续增大，MAX1870A将无法进一步限制墙上适配器的电流。输入源电流是MAX1870A的静态电流、充电器输入电流和系统负载电流的总和。与充电电流、负载电流相比，MAX1870A的6mA最大静态电流是非常小的。事实上，可根据以下公式来确定墙上适配器的实际电流：www.88dzw.com其中，η表示DC-DC转换器的效率(典型值为85％～95

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3.3输入电流门限的设置

由墙上适配器或其它DC电源输出的总电流是系统供电电流和电池充电电流之和。当输入电流超过预定点时，MAX1870A会降低充电电流，以限制流出墙上适配器的电流。随着系统供电电流的增大，可用于充电的电流会下降。在充电电流降到零后，若系统电流继续增大，MAX1870A将无法进一步限制墙上适配器的电流。

输入源电流是MAX1870A的静态电流、充电器输入电流和系统负载电流的总和。与充电电流、负载电流相比，MAX1870A的6mA最大静态电流是非常小的。事实上，可根据以下公式来确定墙上适配器的实际电流：

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其中，η表示DC-DC转换器的效率(典型值为85％～95％)，ISYS_LOAD表示系统负载电流，IADAPTER表示适配器电流，ICHARGE表示充电电流。

通过控制输入电流可降低对交流适配器的电流要求，以使系统尺寸和成本降到最小。为控制输入电流，必要时应降低充电电流，以便优先保证系统负载供电。

器件内部的放大器可将(VCSSP-VCSSN)及(VCSSP-VCSSS)之和与CLS输入设定的电压进行比较。VCLS可直接被激励，也可利用REF和GND间的分压电阻来设定。将CLS连至REF可选择最大输入电流门限为105 mV。而利用检测电阻RS1a和RS1b则可设置墙上适配器的最大允许电流。RS1a、RS1b和RS2的阻值相同。根据以下公式可计算出墙上适配器的最大电流：

其中，VCSST表示满刻度源电流检测电压阀值(典型值为105 mV)。通过内部误差信号放大器(GMS)可对输入电流进行调节。一般情况下，在CCS和GND间接一只0.01μF的电容即可补偿源电流环路(GMS)。

3.4输入电流测量

MAX1870A具有一个输入电流监视输出引脚IINP。IINP是系统电流与充电电流之和按比例缩小后的“复制品”。IINP的输出电压范围是0～3.5V。IINP上的电压与适配器输出电流的比例关系可用下式表示：

其中，IADAPTER表示AC墙上适配器提供的DC电流，GIINP表示IINP的跨导(典型值为2.8μA／mV)，R7是在IINP和地间相连的电阻。

4  MAX1870A的典型应用电路

在图2所示的MAX1870A的应用电路中，充电电压和电流固定为特定值。ICTL引脚的电压和RS2的值设定了充电电流的值。VCTL引脚的电压和CELLS的输入则可用于设定充电器的电池调节电压。CLS引脚的电压租R3、R4的阻值可用于设定输入电源的电流门限。当DC电源输入反向时，可选择二极管D1和D2来保护MAX1870A。


5  MAX1870A的主要外围器件选择

5.1  MOSFET的选择

使用MAX1870A需要一个p沟道MOSFET和一个n沟道MOSFET，一般情况下，只要具有相等或更低的导通电阻和栅极电荷，并且有足够的电压、电流和功率容量，就可替代这些元件。如果是更小功率的应用，也可按比例降低MOSFET的要求，此时可选用栅极电荷更小的MOSFET，但MOSFET的导通电阻则应同比例地增加。例如，如果实际设计只需一半的电流，则可选择导通电阻大两倍而栅极电荷只有一半的MOSFET，这样可同时保持相同或更高的效率，而其尺寸和成本却可得到降低。确认线性稳压器能驱动选定的MOSFET后，驱动一只给定的MOSFET所需的平均电流为：

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