集成CMOS对称式收/发开关的设计

  • 名称:集成CMOS对称式收/发开关的设计
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《集成CMOS对称式收/发开关的设计》简介

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本文分析了影响对称式射频收/发开关性能的因素,包括栅宽、导通电阻、衬底电阻、栅极电阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工艺进行设计和实现。, 大小:2.88 MB
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