当前位置：宽带、低相位噪声射频集成放大器设计
- 名称：宽带、低相位噪声射频集成放大器设计
- 类型：电源技术
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《宽带、低相位噪声射频集成放大器设计》简介
宽带、低相位噪声射频集成放大器设计，本文成功地将负反馈频率补偿技术用于宽带射 频集成放大器电路设计,通过选择、设计多晶发射极 SiGe HBT,采用封装电容做级间匹配电容,提高电 路模型精度,增加了流片的可实现性,并起到补偿带 内平坦度的作用。电路结构简单,性能优良, 在0. 8μm SiGe BiCMOS工艺上成功设计了0 ～7GHz 宽带、低噪声射频集成放大器。
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