功率MOSFET并联均流问题研究

  • 名称:功率MOSFET并联均流问题研究
  • 类型:电源技术
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  • 更新时间:10-10 20:48:17
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《功率MOSFET并联均流问题研究》简介

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对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来,得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。, 大小:7.16 MB
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