什么是可控硅(晶闸管)
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文章摘要:什么是可控硅(晶闸管)可控硅是硅可控整流器的简称,缩写为SCR又称为晶闸管。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作
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可控硅是硅可控整流器的简称,缩写为SCR又称为晶闸管。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。
晶闸管的特点: 是“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。那么,用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断,可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压,那么,在电压过零时,晶闸管会自行关断。
可控硅的结构:内部有相互交叠的4层PN区组成,有三个PN结,三个电极, 即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。一个是PNP,一个是NPN ,每个管子的集电极连接导另一个管子的基极,形成正反馈。
可控硅按其电流容量可分,50A以上的为大功率管,5A以下的为小功率管, 两者之间的则为中功率管。
可控硅的主要参数定义如下:
可控硅的额定正向平均电流:在规定条件下,阳极和阴极间可以连续通过的50HZ正旋半波电流的平均值。
可控硅的维持电流:在规定条件下维持可控硅导通的最小正向电流。
可控硅的漏源饱和电流:在栅源短路,漏源电压足够大时的漏源电流。
可控硅的正向跨导:在共源电路中,栅源输入电压每增加1V所引起的漏源输出电流的变化量。
可控硅的最大栅源电压:MOS管因为其栅极有很高的绝缘电阻,因此栅极开路时,很容易使管子损坏,存放时应注意将三个管脚短接。
例:N 沟道结型场效应管:3DJ6D
饱和漏源电流:《0.35ma 夹断电压:<4V(-4V) 栅源绝缘电阻:10(8)ohm 正向跨导:>1000 输入电容:<5pf 电容反馈:<2pf 低频噪声:<5db 高频功率增益:>10db最高震荡频率:>30mhz最大漏源电压:20V 最大栅源电压:20V 最大耗散功率:100mw 最大漏源电流:15ma
可控硅的正向(反向)阻断电压: 定义为转折电压减去100V后的电压值,使用时正向电压不允许超过此值。
可控硅的控制极触发电压电流:在规定条件下使可控硅导通所必须的最小控制极直流电压电流值,一般情况,控制极电压不的超过10V电流不超过1A
可控硅的导通时间:从控制极加上信号到阳极电流上升到最终值的90%所需要的时间。他包括延迟时间,为阳极电流上升到10%的时间,上升时间,为从10%-90%所需要的时间。
可控硅的关断时间: 从切断正向电流到控制极恢复控制能力所需要的时间。
例:3CT061(小电流单向管)电流:1A触发电压:《2V
可控硅的触发电流:0.01-30ma导通时间<80us
可控硅的关断时间:<2.5us瞬时电流:9.5A
3CTS5(小电流双向管)电流:5A触发电压:《3V
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