模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成
[09-12 12:21:19] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8857次
文章摘要:PN结在反向偏置时,IR很小,PN结呈现一个很大的电阻,可认为它基本是不导电的。四、PN结的伏安特性PN结的伏安特性(外特性)如图所示,它直观形象地表示了PN结的单向导电性。PN结的伏安特性曲线伏安特性的表达式式中iD——通过PN结的电流vD——PN结两端的外加电压VT——温度的电压当量,VT = kT/q = T/11600 = 0.026V,其中k为波耳兹曼常数(1.38×10–23J/K),T为热力学温度,即绝对温度(300K),q为电子电荷(1.6×10–19C)。在常温下,VT ≈26mV。e——自然对数的底Is——反向饱和电流,对于分立器件,其典型值为108~1014A的范围内。集
模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.comPN结在反向偏置时,IR很小,PN结呈现一个很大的电阻,可认为它基本是不导电的。
四、PN结的伏安特性
PN结的伏安特性(外特性)如图所示,它直观形象地表示了PN结的单向导电性。
|
PN结的伏安特性曲线 |
伏安特性的表达式
式中
iD——通过PN结的电流
vD——PN结两端的外加电压
VT——温度的电压当量,VT = kT/q = T/11600 = 0.026V,其中k为波耳兹曼常数(1.38×10–23J/K),T为热力学温度,即绝对温度(300K),q为电子电荷(1.6×10–19C)。在常温下,VT ≈26mV。
e——自然对数的底
Is——反向饱和电流,对于分立器件,其典型值为108~1014A的范围内。集成电路中二极管PN结,其Is值则更小.
当vD>>0,且vD>VT时,
上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] 下一页
Tag:电路基础,电子电路基础,模拟电路基础,电路基础
《模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成》相关文章
- › 警车声、光模拟电路
- › 如何合理布局模拟电路印制电路板信号线
- › 基于FPGA及模拟电路的模拟信号波形的实现
- › 整合ARM、FPGA与可编程模拟电路设计的单芯片技术
- › 整合ARM、FPGA与可编程模拟电路的单芯片方案
- › 模拟电路网络课件 第四十一节:开关电容滤波器
- 在百度中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成
- 在谷歌中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成
- 在soso中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成
- 在搜狗中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成
编辑推荐
分类导航
最新更新
- · 什么是系统仿真
- · 什么是CPCI
- · 英特尔 Parallel Composer入门
- · 什么是支持数据库,什么是中宏数据库
- · 什么是数据交换技术
- · 什么是内部数据传输率
- · 什么是空间数据交换中心
- · 什么是差异备份
- · 什么是备份集
- · 什么是映像备份
热门排行
- · IGBT模块
- · 什么是24脉波整流变压器
- · 自动变速器不能强制降挡故障原因、诊断与排
- · 什么是MD机
- · 中心频率,什么是中心频率
- · 功率单位mw和dbm的换算表
- · 中值滤波模块设计思路
- · 反馈振荡器的原理
- · 气体激光器简介
- · 数制与进位记数法