模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成

文章摘要：PN结在反向偏置时，IR很小，PN结呈现一个很大的电阻，可认为它基本是不导电的。四、PN结的伏安特性PN结的伏安特性（外特性）如图所示，它直观形象地表示了PN结的单向导电性。PN结的伏安特性曲线伏安特性的表达式式中iD——通过PN结的电流vD——PN结两端的外加电压VT——温度的电压当量，VT = kT/q = T/11600 = 0.026V，其中k为波耳兹曼常数（1.38×10–23J/K），T为热力学温度，即绝对温度（300K），q为电子电荷（1.6×10–19C）。在常温下，VT ≈26mV。e——自然对数的底Is——反向饱和电流，对于分立器件，其典型值为108~1014A的范围内。集

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PN结在反向偏置时，IR很小，PN结呈现一个很大的电阻，可认为它基本是不导电的。

四、PN结的伏安特性

PN结的伏安特性（外特性）如图所示，它直观形象地表示了PN结的单向导电性。

PN结的伏安特性曲线

伏安特性的表达式

式中

iD——通过PN结的电流

vD——PN结两端的外加电压

VT——温度的电压当量，VT = kT/q = T/11600 = 0.026V，其中k为波耳兹曼常数（1.38×10–23J/K），T为热力学温度，即绝对温度（300K），q为电子电荷（1.6×10–19C）。在常温下，VT ≈26mV。

e——自然对数的底

Is——反向饱和电流，对于分立器件，其典型值为108~1014A的范围内。集成电路中二极管PN结，其Is值则更小.

当vD>>0，且vD＞VT时，

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