模拟电路网络课件 第二十节:场效应管放大电路

文章摘要：模拟电路网络课件 第二十节:场效应管放大电路4.3 场效应管放大电路4.3.1 直流偏置电路及静态分析一、直流偏置电路由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅-源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式自偏压电路。1．自偏压电路 (a) (b) 图1图1(a)所示电路是一个自偏压电路，其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R 接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻R上产生的电压为栅-源极间提供一个偏置电压VGS，故称为自偏压电路。静

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模拟电路网络课件 第二十节:场效应管放大电路

4.3 场效应管放大电路

4.3.1 直流偏置电路及静态分析

一、直流偏置电路

由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅-源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式自偏压电路。

1．自偏压电路

 (a)                                    (b)

图1

图1(a)所示电路是一个自偏压电路，其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R 接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻R上产生的电压为栅-源极间提供一个偏置电压VGS，故称为自偏压电路。静态时，源极电位VS=IDR。由于栅极电流为零，Rg上没有电压降，栅极电位VG=0，所以栅源偏置电压VGS= VG–VS= –IDR 。耗尽型MOS管也可采用这种形式的偏置电路。

图1(b)所示电路是自偏压电路的特例，其中VGS=0。显然，这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，因为在栅源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作。

增强型MOS管只有在栅-源电压达到其开启电压VT时，才有漏极电流ID产生，因此这类管子不能用于图1所示的自偏压电路中。

2．分压式偏置电路

图2

二、静态分析

对场效应管放大电路的静态分析也可以采用图解法或公式估算法，图解法的步骤与双极型三极管放大电路的图解法相似。这里仅讨论用公式估算法求静态工作点。

工作在饱和区时，结型场效应管和耗尽型MOS管的漏极电流 ，增强型MOS管的漏极电流

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