模拟电路网络课件 第八节:半导体BJT

文章摘要：用图示仪对输入特性进行测量、显示，或通过实验进行逐点测量可得输入特性曲线。比较vCE³1V和vCE=0V的两条输入特性曲线可见，vCE=1V的一条特性向右移动了一段距离，这是由于当vCE=1V时，集电结加反向电压后，集电结吸引电子的能力加强，使得从发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应相同的vBE，流向基极的电流iB比原来vCE=0时减小了，特性曲线也就相应地向右移动了。严格地说，vCE不同，所得的输入特性应有所不同，但实际上vCE>1V以后的输入特性与vCE³1V的特性曲线非常接近。这是因为当vCE>1V以后，只要vBE保持不变，则从发射区发射到基区的

模拟电路网络课件 第八节:半导体BJT,标签：电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com

用图示仪对输入特性进行测量、显示，或通过实验进行逐点测量可得输入特性曲线。

比较vCE³1V和vCE=0V的两条输入特性曲线可见，vCE=1V的一条特性向右移动了一段距离，这是由于当vCE=1V时，集电结加反向电压后，集电结吸引电子的能力加强，使得从发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应相同的vBE，流向基极的电流iB比原来vCE=0时减小了，特性曲线也就相应地向右移动了。

严格地说，vCE不同，所得的输入特性应有所不同，但实际上vCE>1V以后的输入特性与vCE³1V的特性曲线非常接近。这是因为当vCE>1V以后，只要vBE保持不变，则从发射区发射到基区的电子一定，而集电结所加的反向电压大到1V以后已能把这些电子中的绝大部分拉到集电结了，以至vCE再增加，iB也不再明显减小，故vCE>1V后的输入特性基本重合。通常只要画出vCE³1V以后的任何一条输入特性就可代表vCE>1V以后的各种情况了。

二、输出特性曲线

输出特性曲线是在基极电流iB一定的情况下，BJT的输出回路中，集电极与发射极之间的电压vCE与集电极电流iC之间的关系曲线。其函数式为

上一页  [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14]  下一页