模拟电路网络课件 第八节:半导体BJT
[09-12 12:20:00] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8396次
文章摘要:特点:DiC=bDIB。 3、饱和区:工作条件: 。(ICS是集电极最大电流,对于共射电路有 )特点:发射结与集电结均处与正向偏置,即vBE >Vth,vCE>vBE 此时iC不仅与IB有关且与vCE有关,iC随vCE的增加而增加。DiC≠bDIB, 。3.1.4 BJT的主要参数上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] 下一页
模拟电路网络课件 第八节:半导体BJT,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com特点:DiC=bDIB。
3、饱和区:
工作条件: 。(ICS是集电极最大电流,对于共射电路有
)
特点:发射结与集电结均处与正向偏置,即vBE >Vth,vCE>vBE 此时iC不仅与IB有关且与vCE有关,iC随vCE的增加而增加。DiC≠bDIB, 。
3.1.4 BJT的主要参数
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