模拟电路网络课件 第八节:半导体BJT

文章摘要：特点：DiC=bDIB。 3、饱和区：工作条件： 。（ICS是集电极最大电流，对于共射电路有 ）特点：发射结与集电结均处与正向偏置，即vBE >Vth，vCE>vBE 此时iC不仅与IB有关且与vCE有关，iC随vCE的增加而增加。DiC≠bDIB， 。3.1.4 BJT的主要参数上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] 下一页

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特点：DiC=bDIB。            

3、饱和区：

工作条件： 。（ICS是集电极最大电流，对于共射电路有 ）

特点：发射结与集电结均处与正向偏置，即vBE >Vth，vCE>vBE 此时iC不仅与IB有关且与vCE有关，iC随vCE的增加而增加。DiC≠bDIB， 。

3.1.4 BJT的主要参数

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