IGBT模块
[09-12 11:26:36] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8999次
文章摘要: (14)IGBT的串并联: 1)并联目的是增大使用的工作电流,但器件要匹配,每模块的Uce之差小于0.3V。还要降流使用,对于不小于200A的模块,600V的降10%Ic,1200~1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开,除静态均流外,还有动态均流问题,并使温度相接近,以免影响电流的均衡分配,因IGBT是负阻特性的器件。 2)串联目的是增高使用的工作电压,其要求比并联更高,主要是静态均压及动态均压问题,尤其是动态均压有一定难度。针对这个问题成都佳灵公司提出了容性母板技术1+N只串联动态电压钳位均压方式c若动态均压不佳,将造成串联
IGBT模块,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com(14)IGBT的串并联:
1)并联目的是增大使用的工作电流,但器件要匹配,每模块的Uce之差小于0.3V。还要降流使用,对于不小于200A的模块,600V的降10%Ic,1200~1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开,除静态均流外,还有动态均流问题,并使温度相接近,以免影响电流的均衡分配,因IGBT是负阻特性的器件。
2)串联目的是增高使用的工作电压,其要求比并联更高,主要是静态均压及动态均压问题,尤其是动态均压有一定难度。针对这个问题成都佳灵公司提出了容性母板技术1+N只串联动态电压钳位均压方式c若动态均压不佳,将造成串联臂各器件上的Uce电压不等,造成一个器件过电压,影响同一臂的一串器件电击穿。
总之,IGBT的串、并联应尽量避免,不要以低电压小电流器件,通过串、并联解决高电压大电流的问题,这样的做法往往适得其反,而器件增多可靠性更差,电路也复杂,在不得已的条件下,要慎重。目前使用单个ICBT的电压或电流基本能满足用户的需要,随着电路的改进,将会有更高电压、更大电流的功率器件问世,这是必然的。
(15)对IGBT的Uge与Uce的加压次序 众所周知,变频器内部的测量电路、保护电路、驱动电路、转换电路、隔离电路、CPU、栅极电路等所使用的电子器件,如TTL、COMS、运算放大器、光耦合器等都是由开关电源提供所需的不同电压值。对ICBT来讲,Uge是由开关电源提供±(5~15)V电压,但Uce是由主电路经三相整流桥滤波后的DC电源提供的,为确保IGBT的使用安全及不误导通,故对Uge与Uce加电压次序有要求。必须是先加Uge且待稳定后(截止偏压-15V,导通偏压+15V),再可加Uce。切莫当G极悬空或未稳定时就加Uce(几百到几千伏),因为Cge极间的耦合电容就可将ICBT误导通,致使过高的du/dt造成电击穿雨损坏。为避免上述现象发生,一般用延时电路方法,使Uce延时于Uge约0.2s,这样大大地提高了使用的安全性、可靠性,尤其是中、大功率的器件更应注意。
(16)小结 IGBT的使用综合性能是非常优越的,因此成为当今逆变电路DC/AC中的主要器件。它的弱点是过电压、过热、抗冲击、抗干扰等性能较差,因此在使用时必须正确选择器件的容量,切莫粗枝大叶,造成经济损失。只要精心设计,规范运行,就能确保使用中的安全性和可靠性。
Tag:电路基础,电子电路基础,模拟电路基础,电路基础
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