IGBT模块
[09-12 11:26:36] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8999次
文章摘要:功率电路的电感。 (6)接地回路形式 当栅极G驱动或控制信号与主电路共用一个电流路径时,会导致产生接地回路,这可能出现本应是接地的电位,而实际有几伏的电位值,使本来偏置截止的器件可能导通,而造成误动作。因此在大功率IGBT应用中,或di/dt很高时,应避免接地回路噪声,故对不同容量的器件,有下述三种电路,如图2所示。图2(a)是存在共地回路电位问题的,它的栅极电源地线与主电路(-)母线相通,适用于小于100A的六合一封装器件,但仍要高反偏置电压5~15V。 图2(b)对下半臂器件选用独立栅极电源供电,采用辅助发射极和就近驱动电源退耦电容的方法,能使接地回路噪声得到最好抑制,适用200A以下
IGBT模块,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com功率电路的电感。
(6)接地回路形式 当栅极G驱动或控制信号与主电路共用一个电流路径时,会导致产生接地回路,这可能出现本应是接地的电位,而实际有几伏的电位值,使本来偏置截止的器件可能导通,而造成误动作。因此在大功率IGBT应用中,或di/dt很高时,应避免接地回路噪声,故对不同容量的器件,有下述三种电路,如图2所示。
图2(a)是存在共地回路电位问题的,它的栅极电源地线与主电路(-)母线相通,适用于小于100A的六合一封装器件,但仍要高反偏置电压5~15V。
图2(b)对下半臂器件选用独立栅极电源供电,采用辅助发射极和就近驱动电源退耦电容的方法,能使接地回路噪声得到最好抑制,适用200A以下模块。
图2(c)对下半臂每一个栅极驱动电路,都采用了分离绝缘电源,以消除接地回路的噪声问题,效果更好,适用不
小于300A的模块。
(7)IGBT的损耗 损耗指IGBT在开通或关断过渡过程期间的功率损耗。当PWM信号频率大于5kHz时,开关损耗会非常显著,因此在使用变频器时,必须正确地选择载波频率值。载波频率的大小与器件的开关损耗、器件的发热、电流的波形、干扰的大小、电动机的噪声和振动等有关,因此按照不同功率的电动机和现场条件来正确选择载波频率值,也是变频器调试中的一个主要环节。
(8)关于结温的大小 IGBT模块的芯片最大额定结温是150℃,在任何工作条件下,都不允许超过,否则要发生热击穿而造成损坏,一般要留余地。在最恶劣条件下,结温限定在125℃以下,但芯片内结温监测有难度,所以变频器的IGBT模块,都在散热器表面装有温控开关,其控制值在80~85℃之间,当达到此温度时,即因过热保护动作,从而自动停机,以确保IGBT的安全。也有用热敏电阻进行保护的。
(9)散热器的安装 IGBT模块直接固定在散热器上,螺钉一定要受力均匀,开始拧紧的次序如图3所示,①→②→③→④,最终拧紧的次序是④→③→②→①。散热器表面要平整清洁,要求平面度不大于150μm,最好用力矩扳手(具体值可参见应用手册)。表面粗糙度不大于6μm,界面要涂传热导电膏,涂层要均匀,厚度约150μm。不同功率的模块散热器面积的计算,请参阅有关的设计资料。
(10)参数的合理选择 参数的选择要适当留有余地,这样才能确保长期、可靠、安全地运行。工作电压为50%~60%,在此条件下器件是最安全的。制约因素有以下几点:
1)在关断或过载条件下,Ic要处于安全工作区,即小于2倍的额定电流值;
2)IGBT峰值电流是根据200%的过载和120%的电流脉动率来制定的;
3)结温必须小于150℃。
在具体选用时可查表。
表 常用的IGBT模块
1)开通电压为15(1±10%)V的正栅极电压,可产生完全饱和,而且开关损耗最小,当小于12V时通态损耗加大,大于20V时难以实现过电流及短路保护。
2)关断偏压在-5~-15V时出现噪声仍可有效关断,并可减小关断损耗,最佳值约为-10V。
3)IGBT不适用于线性工作,只有极快开关工作时,栅极才可加较低(3~11V)电压。
4)饱和压降直接关系到通态损耗及结温大小,希望越小越好,但价格就要高。饱和压降从1.7~4.05V,以每0.25~0.35V为一个等级,从C~M共10级。
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