LTC5507的典型应用电路图

文章摘要：LTC5507的典型应用电路如图所示。C1为射频输入端的耦合电容，C2为峰值保持电容，二者均采用陶瓷电容，容抗均应低于5Ω以减小C2上的纹波。C1、C2的容量取决于射频的最低输入频率fmin(单位是MHz)，有公式:C1=C21≥(30fmin)。式中，C1和C2的单位均取μF。考虑到C2的值会影响到转换速率和带宽，一般取C1=C2。但C1和C2的容量也不能选得太大，否则会超过射频的最低输入频率。适当选择C1和C2的容量，可提高转换速率和射频最高频率的交流特性。R3为上拉电阻，当SHDN非端悬空时LTC5507处于正常工作模式，当SHDN非端接地时进入低功耗模式。电路图 src="/

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　　LTC5507的典型应用电路如图所示。C1为射频输入端的耦合电容，C2为峰值保持电容，二者均采用陶瓷电容，容抗均应低于5Ω以减小C2上的纹波。C1、C2的容量取决于射频的最低输入频率fmin(单位是MHz)，有公式:C1=C21≥(30fmin)。式中，C1和C2的单位均取μF。考虑到C2的值会影响到转换速率和带宽，一般取C1=C2。但C1和C2的容量也不能选得太大，否则会超过射频的最低输入频率。适当选择C1和C2的容量，可提高转换速率和射频最高频率的交流特性。R3为上拉电阻，当SHDN非端悬空时LTC5507处于正常工作模式，当SHDN非端接地时进入低功耗模式。

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