晶闸管(可控硅)应用指南

[09-08 11:43:44]   来源:http://www.88dzw.com  电路基础   阅读:8746

文章摘要:U2 U2 U2 Kfd α=0O 电阻负载 1 0.5 0.5 0.375 0.368 0.185 电感负载 0.45 0.45 0.45 0.368

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U2 晶闸管(可控硅)应用指南U2 晶闸管(可控硅)应用指南U2 Kfd
α=0O 电阻负载 1 0.5 0.5 0.375 0.368 0.185 电感负载 0.45 0.45 0.45 0.368 0.368 0.184
注:U2为主回路变压器二次相电压有效值;单项半波电感负载电路带续流二极管。
2. 中频逆变元件的选择
  一般400HZ以上的工作条件下,应考虑使用KK器件;频率在4KHz以上时,可考虑使用KA器件。这里主要介绍一下并联逆变电路中元件的选择(见图一)。
晶闸管(可控硅)应用指南
(1) 元件正向和反向峰值电压VDRM、VRRM
  元件正向和反向峰值电压应取其实际承受最大正、反向峰值电压的1.5-2倍。假设逆变器直流输入电压为Ud,功率因数为cosψ则:
VDRM/RRM=(1.5-2)πUd /(2cosψ)
(2) 元件的额定通态电流IT(AV)
  考虑到元件在较高频率下工作时,其开关损耗非常显著,元件的额定通态电流应按实际流过其有效值I的2-3倍来考虑,即
IT(AV)=(2-3)I/1.57
  假设逆变器直流输入电流为Id,则所选器件IT(AV)为
IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
(3) 关断时间tq
  并联逆变线路中,KK元件的关断时间选择要根据触发引前时间tf和换流时间tr来决定。一般取:

tq=(tf-tr)×晶闸管(可控硅)应用指南
(当功率因数为0.8时tf约为周期的十分之一,tr按元件di/dt小于或等于100A/μS来确定)
  在频率较高时,可通过减小换流时间tr,并适当牺牲功率因数增加tf的方法来选择具有合适tq值的元件
以上简略介绍了整流和逆变工作条件下元件的选择。在许多情况下,除了元件的额定电压、电流外,还要根据具体条件选择元件的门极参数、通态压降以及断态电压临界上升率dv/dt和通态电流临界上升率di/dt。

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