利用低门限电压延长电池寿命技术

文章摘要：（图中文字：在额定RDS(on)和1.5V电压下，驱动电路不需要电平转换电路就能导通MOSFET）图3，减小VGS(th)能够让驱动器用更低的输出电压使开关导通，减少所需的电平转换电路从以往的经验来看，我们需要一个不低于1.8V的阈值电压对所有功率MSOFE中阈值点的负温度系数进行补偿。如果器件工作在125℃的温度下（这在便携式应用是很可能出现的情况），现有的MOSFET设计不得不提高MOSFET的阈值电压，防止MOSFET发生自导通，因为即便所施加的VGS为0V，低阈值电压的MOSFET也可能发生自导通。尤其是便携式设备和手机对多媒体功能的要求是永无止境的。设计者要尽力提供更强的数据处理能力

利用低门限电压延长电池寿命技术,标签：电源电路,电路设计,http://www.88dzw.com

（图中文字：在额定RDS(on)和1.5V电压下，驱动电路不需要电平转换电路就能导通MOSFET）

图3，减小VGS(th)能够让驱动器用更低的输出电压使开关导通，减少所需的电平转换电路

　　从以往的经验来看，我们需要一个不低于1.8V的阈值电压对所有功率MSOFE中阈值点的负温度系数进行补偿。如果器件工作在125℃的温度下（这在便携式应用是很可能出现的情况），现有的MOSFET设计不得不提高MOSFET的阈值电压，防止MOSFET发生自导通，因为即便所施加的VGS为0V，低阈值电压的MOSFET也可能发生自导通。

　　尤其是便携式设备和手机对多媒体功能的要求是永无止境的。设计者要尽力提供更强的数据处理能力，同时尽量满足下一代便携式设备的特殊电源需求。不过毫无疑问的一点是，采用先进硅片工艺和封装技术的功率MOSFET将能够提供设计者所期望的电源效率、超小尺寸和低成本，把这些多媒体手机由设想变为现实。

上一页  [1] [2]