3LCOS比拼3LCD 两大投影技术全揭秘

文章摘要：外部引线少、连接简单及整机装配简便 普通的LCD有大量密集的外部引线，如一个1024×768像素点阵的LCD便有2592条外部引线，给整机装配带来了诸多不便，而LCoS由于是将LCD制于单晶硅片上，LCD的行、列引出线皆通过半导体工艺在硅片内与IC相连接，故留在外部的仅有数条数据控制线、时序线及电源线等。可利用通用连接端口与前级电路相连接，颇为简便。 体积更小、外观更精巧 普通的LCD在制造过程中需在玻璃基板上进行光刻，制成像素。通常将像素制至0.28mm已属不易，因在每个像素上还需制出一个有源器件。但LCoS的像素是制在单晶硅片上，硅片采用LSIC的工艺进行加工，可将

3LCOS比拼3LCD 两大投影技术全揭秘,标签：电子基础,电子基础知识应用,http://www.88dzw.com
外部引线少、连接简单及整机装配简便

    普通的LCD有大量密集的外部引线，如一个1024×768像素点阵的LCD便有2592条外部引线，给整机装配带来了诸多不便，而LCoS由于是将LCD制于单晶硅片上，LCD的行、列引出线皆通过半导体工艺在硅片内与IC相连接，故留在外部的仅有数条数据控制线、时序线及电源线等。可利用通用连接端口与前级电路相连接，颇为简便。

    体积更小、外观更精巧

    普通的LCD在制造过程中需在玻璃基板上进行光刻，制成像素。通常将像素制至0.28mm已属不易，因在每个像素上还需制出一个有源器件。但LCoS的像素是制在单晶硅片上，硅片采用LSIC的工艺进行加工，可将象像制至4μm以下。故在一个仅零点数英寸的硅片上可制成1024×768像素，甚至1920×1240像素点阵密度的显示产品。

    低成本潜力

    显示的信息量密度增大了，而体积却减少了（达0.35~0.5英寸），材料费及成本自然便会大幅度地降低，较相同分辨率的LCD和数字微镜（DMD）低得多，将来克服成品率低的弱点，相信还会有更大的降价空间。

    高解析度 高亮度

　　LCOS投影技术最大的特色在于其面板的下基板采用硅晶圆CMOS基板，由于下基板的材质是单晶硅，拥有良好的电子移动率，而且单晶硅可形成较细的线路，因此比较容易生产出高解析度的面板。LCOS为反射式技术，不会像LCD光学引擎会因为光线穿透面板而大幅度降低光利用率，因此光利用率可提高至40%，与穿透式的LCD的3%相较，可减少耗电，并可产生较高的亮度。
像素开口率高 

   LCoS解决了普通TFT-LCD像素开口率不高的技术难题。开口率是指除去每一个像素的配线部、晶体管部（通常采用黑色矩阵隐藏）后的光线通过部分的面积和每一个像素整体的面积之间的比例。开口率越高，光 线通过的效率越高。普通的TFT-LCD需在每个像素面积内划出一个区域来制成场效应三极管和电容，由于普通的TFT-LCD是在玻璃基板非晶硅膜层上制成的，非晶硅或多晶硅层上制作场效应管时，由于非晶硅或多晶硅的电子迁移率低，故场效应管等有源器件所占的面积较大，而LCoS采用单晶硅，其电子迁移率较非晶硅或多晶硅高得多，所以其面积可制成很小，因而其开口率可很高，达96%以上。

    由于LCoS的晶体管及驱动电路皆制于单晶硅基板内，位于反射面之下，并不占用表面面积，故仅有像素间隙才占用开口面积，不像透射式LCD的TFT及导线皆占用开口面积，所以理论上无论是分辨率还是开口率，LCoS都较透射式LCD高。

    光利用率高

    LCoS可提高光的利用率。它与LCD投影显示器相类似，主要差别在于LCoS属反射式成象，故光利用率可达40%以上，与数字光处理（DLP）相当，而透射式LCD仅有3~10%而已。众所周知，LCD属于被动式显示器件，靠调制外界环境光来实现显示的，普通的LCD在前后各装有一片偏光膜，LCD便是靠调制偏振光的开关通断来实现显示的。偏光膜是靠吸收光来产生偏光的，故制成的LCD透光率很低，因此，为显示清晰，在TFT-LCD的背后需装上一个较强的背光源，该背光源颇耗电，从而将TFT-LCD微功耗的特点丧失贻尽。

    LCoS的背基板采用单晶硅基片，故LCoS大多制成反射式。硅片像素上又镀有光学反光膜，可将光全部反射出，从而大部分入射光皆能被利用。LCoS的反射式成像光效高，不仅节电，符合绿色环保需求，而且还能给便携式IT产品提供高清晰度的大屏面。

    无技术壁垒

    目前拥有LCD核心技术的仅有索尼和爱普生，而LCOS技术则不存在这样的问题，更多厂家进入这一领域有助于技术的完善，但没有统一的技术标准也是普及上的障碍。

上一页  [1] [2] [3]  下一页