静电防电术语词汇表

文章摘要：局部抗静电 (Topical antistat)应用在材料表面的抗静电方法，为了产生表面静电耗散或减少摩擦起电。瞬时脉冲宽度 (Transient Pulse Width)短暂激励的持续时间。瞬时脉冲幅度 (Transient Pulse Amplitude)对短暂激励幅度测定的电压值(V)。瞬时激励 (Transient Stimulus)叠加在电源电压正常直流信号之上的一个短暂的交流信号。摩擦带电 (Triboelectric charging)当二种材料发生接触或相互摩擦然后分开的时候，就产生了静电电荷。（见摩擦静电序列 (Triboelectric series)）摩擦静电序列 (Tr

静电防电术语词汇表,标签：电子基础,电子基础知识应用,http://www.88dzw.com

局部抗静电 (Topical antistat)
应用在材料表面的抗静电方法，为了产生表面静电耗散或减少摩擦起电。

瞬时脉冲宽度 (Transient Pulse Width)
短暂激励的持续时间。

瞬时脉冲幅度 (Transient Pulse Amplitude)
对短暂激励幅度测定的电压值(V)。

瞬时激励 (Transient Stimulus)
叠加在电源电压正常直流信号之上的一个短暂的交流信号。

摩擦带电 (Triboelectric charging)
当二种材料发生接触或相互摩擦然后分开的时候，就产生了静电电荷。（见摩擦静电序列 (Triboelectric series)）

摩擦静电序列 (Triboelectric series)
一个材料的排列序列。当一种材料从序列下面更远的另一种材料分离时，能带正电荷；或从序列上面更远的另一种材料分离时，能带负电荷。注意：序列主要用于指出摩擦之后可能产生的电荷极性。然而, 这序列是得自于对材料的特别准备和清洁，并在严格的控制条件下测试出来的。在一般的环境中，材料适当地靠近序列中另一个，预期能够产生彼此极性相反的电荷。这序列只是一个指导。

触发 (Trigger)
瞬时的激励，用于启动器件上的门闩电路。

触发电压 (Trigger voltage)
最小振幅的瞬时脉冲。

三态 (Tri-State)
在高阻抗状态的一个引线，它不符合逻辑低或高。

Vdd最大值 (Vdd max)
在器件数据表中列出的 Vdd 最大值，在此操作电压下，器件仍满足全部规格要求。

Vdd标称值 (Vdd nominal)
器件的典型电源电压。

矢量 (Vector)
The digital pattern applied to a group of input pins at one time.
适用于一组输入插脚在同一时间的数字模式。

矢量文件 (Vector File)
一个程序或一个程序输入文件，包含了一连串许多矢量，用于确定在输入插脚达到功能状态要求时，所必需改变的时序。

垂直层流 (Vertical laminar flow)
一个垂直方向的非紊流气流。

输入逻辑高电压 (Vih)
使一个数字输入引线到逻辑高“1”的偏置电压。

输入逻辑低电压 (Vil)
使一个数字输入引线到逻辑低“0”的偏置电压。

电压抑制 (Voltage suppression)
按照公式V = Q/C，要使带电物体的电压 (V) 减少，用增加它的电容 (C) 比减少它的电荷 (Q) 要好。注：当一个带电的物体靠近地的时候，电压抑制典型地重现。

静电耗散材料的体积电阻 (Volume resistance of static dissipative materials)
在两个电极之间，或在下部用一个指定的结构，接触材料或物体的相对两侧，测试规定的直流电压与流过电流的比。静电耗散材料的体积电阻以欧姆表示。

体积电阻率 (Volume resistivity)
材料每单位厚度直流电压与通过的每单位面积电流量的比。体积电阻率设定为欧姆-厘米。

工作面接地点 (Worksurfaces groundable point)
工作面上的一个点，准备在工作面到适当的电气地之间，提供一个电气连接。

工作面电离（以前的桌面电离）(Worksurface ionization (formerly tabletop ionization))
用以在工作站控制静电荷的离子化装置或系统。注：这个类型包括长工作台顶端离子发生器、工作面顶部离子发生器和层流罩离子发生器。

腕带 (Wrist strap)
一个组合器械，包括一个腕套和提供人体皮肤到地的电气连接接地软线。

腕带系统 (Wrist strap system)
当一条腕带被一个人适当地戴上时，其电气路径包括人、腕套和接地软线。

温塞奇-贝尔模型 (Wunsch-bell model)
半导体结的热失效模型，结的厚度假定可以忽略，并且由于散热限制了结温度的上升。
译者注：见 (D.C.Wunsch, R.R.Bell, Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors due to Pulse., IEEE Trans. Nuc. Sci.,Vol. NS-17, Dec. 1970)。

嚓（通俗语）(Zap (colloquial term))
见静电放电 (electrostatic discharge)。

上一页  [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8]