模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管
[09-12 12:20:46] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8526次
文章摘要:模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管4.1 结型场效应管4.1.1 结型场效应管的结构与工作原理一、结型场效应管的结构如图1(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结,即耗尽层。把两个P+区并联在一起,引出一个电极g,称为栅极,在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极s和漏极d。它们分别与三极管的基极b、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管,它在电路中用图1(b)所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时,栅极电流的方向(
模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管
4.1 结型场效应管
4.1.1 结型场效应管的结构与工作原理
一、结型场效应管的结构
如图1(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结,即耗尽层。把两个P+区并联在一起,引出一个电极g,称为栅极,在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极s和漏极d。它们分别与三极管的基极b、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管,它在电路中用图1(b)所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时,栅极电流的方向(由P区指向N区)。
N沟道JFET的结构剖面图
图2
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟道的结型场效应管。图2给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。
由代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。
二、工作原理
N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。
N沟道结型场效应管工作时,需要外加如图1所示的偏置电压(鼠标单击图1中“结型场效应管的工作原理”),即在栅-源极间加一负电压(vGS<0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右)。在漏-源极间加一正电压(vDS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD。iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响。因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对沟道电阻及漏极电流iD的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。(再单击图1中“结型场效应管的工作原理”,并分别单击其下方的三排热字)
《模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管》相关文章
- › 警车声、光模拟电路
- › 如何合理布局模拟电路印制电路板信号线
- › 基于FPGA及模拟电路的模拟信号波形的实现
- › 整合ARM、FPGA与可编程模拟电路设计的单芯片技术
- › 整合ARM、FPGA与可编程模拟电路的单芯片方案
- › 模拟电路网络课件 第四十一节:开关电容滤波器
- 在百度中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管
- 在谷歌中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管
- 在soso中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管
- 在搜狗中搜索相关文章:模拟电路网络课件 第十七节:结型场效应管
编辑推荐
- · 什么是系统仿真
- · 什么是CPCI
- · 英特尔 Parallel Composer入门
- · 什么是支持数据库,什么是中宏数据库
- · 什么是数据交换技术
- · 什么是内部数据传输率
- · 什么是空间数据交换中心
- · 什么是差异备份
- · 什么是备份集
- · 什么是映像备份
- · IGBT模块
- · 什么是24脉波整流变压器
- · 自动变速器不能强制降挡故障原因、诊断与排
- · 什么是MD机
- · 中心频率,什么是中心频率
- · 功率单位mw和dbm的换算表
- · 中值滤波模块设计思路
- · 反馈振荡器的原理
- · 气体激光器简介
- · 数制与进位记数法