模拟电路网络课件 第十九节:金属-氧化物-半导体场效应管

文章摘要： ( vGS＞VT ) 式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。2. 参数MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。4.3.2 N沟道耗尽型场效应管图1 表 1结构种类工作方式符 号电压极性转移特性iD = f (vGS)输出特性iD = f (vDS)VP或VTVDSN沟道MOSFET耗尽型(-)(+)增强型(+)(+)P沟道MOSFET耗尽型(+)(-)增强型(-)(-)P沟道JFET耗尽型(+)(-)

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                                                 ( vGS＞VT )   

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

2. 参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。

4.3.2 N沟道耗尽型场效应管

图1

　    

表  1

结构种类	工作方式	符   号	电压极性		转移特性 iD = f (vGS)	输出特性 iD = f (vDS)
			VP或VT	VDS
N沟道 MOSFET	耗 尽 型		(-)	(+)
	增 强 型		(+)	(+)
P沟道 MOSFET	耗 尽 型		(+)	(-)
	增 强 型		(-)	(-)
P沟道 JFET	耗 尽 型		(+)	(-)
N沟道 JFET	耗 尽 型		(-)	(+)
P沟道 GaAs MESFET	耗 尽 型		(-)	(+)

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