模拟电路网络课件 第十九节:金属-氧化物-半导体场效应管
[09-12 12:20:41] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8739次
文章摘要: ( vGS>VT ) 式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。2. 参数MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP,而用开启电压VT表征管子的特性。4.3.2 N沟道耗尽型场效应管图1 表 1结构种类工作方式符 号电压极性转移特性iD = f (vGS)输出特性iD = f (vDS)VP或VTVDSN沟道MOSFET耗尽型(-)(+)增强型(+)(+)P沟道MOSFET耗尽型(+)(-)增强型(-)(-)P沟道JFET耗尽型(+)(-)
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( vGS>VT )
式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。
2. 参数
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP,而用开启电压VT表征管子的特性。
4.3.2 N沟道耗尽型场效应管
图1

结构种类 | 工作方式 | 符 号 | 电压极性 | 转移特性 iD = f (vGS) |
输出特性 iD = f (vDS) | |
VP或VT | VDS | |||||
N沟道 MOSFET |
耗 尽 型 |
![]() |
(-) | (+) | ![]() |
![]() |
增 强 型 |
![]() |
(+) | (+) | ![]() |
![]() | |
P沟道 MOSFET |
耗 尽 型 |
![]() |
(+) | (-) | ![]() |
![]() |
增 强 型 |
![]() |
(-) | (-) | ![]() |
![]() | |
P沟道 JFET |
耗 尽 型 |
![]() |
(+) | (-) | ![]() |
![]() |
N沟道 JFET |
耗 尽 型 |
![]() |
(-) | (+) | ![]() |
![]() |
P沟道 GaAs MESFET |
耗 尽 型 |
![]() | (-) | (+) | ![]() |
![]() |
Tag:电路基础,电子电路基础,模拟电路基础,电路基础
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