模拟电路网络课件 第十九节:金属-氧化物-半导体场效应管

[09-12 12:20:41]   来源:http://www.88dzw.com  电路基础   阅读:8739

文章摘要: ( vGS>VT ) 式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。2. 参数MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP,而用开启电压VT表征管子的特性。4.3.2 N沟道耗尽型场效应管图1 表 1结构种类工作方式符 号电压极性转移特性iD = f (vGS)输出特性iD = f (vDS)VP或VTVDSN沟道MOSFET耗尽型(-)(+)增强型(+)(+)P沟道MOSFET耗尽型(+)(-)增强型(-)(-)P沟道JFET耗尽型(+)(-)

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                                                 ( vGS>VT )   

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

2. 参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP,而用开启电压VT表征管子的特性。

4.3.2 N沟道耗尽型场效应管

图1

     
表  1
结构种类 工作方式 符   号 电压极性 转移特性
iD = f (vGS)
输出特性
iD = f (vDS)
VP或VT VDS
N沟道
MOSFET


(-) (+)


(+) (+)
P沟道
MOSFET


(+) (-)


(-) (-)
P沟道
JFET


(+) (-)
N沟道
JFET


(-) (+)
P沟道
GaAs
MESFET


(-) (+)

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