光化学、干膜、曝光及显影制程术语手册

文章摘要：30、Luminance 发光强度，耀度指由发光物体表面所发出或某些物体所反射出的光通量而言。类似的字词尚有“光能量”Luminous Energy。 31、Negative-Acting Resist 负性作用之阻剂，负型阻剂是指感光后能产生聚合反应的化学物质，以其所配制的湿膜或干膜，经曝光、显像后，可将未感光未聚合的皮膜洗掉，而只在板面上留下已聚合的阻剂图形，的原始图案相反，这种感光阻剂称之为“负性作用阻剂”，也称为Negative Working Resist。反之，能产生感光分解反应，板面的阻剂图案与底片完全相同者，则称为 Positive Acting Resis 。电路板因解像度(

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30、Luminance 发光强度，耀度
指由发光物体表面所发出或某些物体所反射出的光通量而言。类似的字词尚有“光能量”Luminous Energy。

31、Negative-Acting Resist 负性作用之阻剂，负型阻剂
是指感光后能产生聚合反应的化学物质，以其所配制的湿膜或干膜，经曝光、显像后，可将未感光未聚合的皮膜洗掉，而只在板面上留下已聚合的阻剂图形，的原始图案相反，这种感光阻剂称之为“负性作用阻剂”，也称为Negative Working Resist。反之，能产生感光分解反应，板面的阻剂图案与底片完全相同者，则称为 Positive Acting Resis 。电路板因解像度(Resolution，大陆用语为“分辨率”)的要求不高，通常采用“负性作用”的阻剂即可，且也较便宜。至于半导体IC、混成电路(Hybrid)、液晶线路(LCD)等则采解像度较好的“正型”阻剂，相对的其价格也非常贵。

32、Mercury Vaper Lamp 汞气灯
是一种不连续光谱的光源，其主要的四五个强峰位置,是集中在波长 365～560nm 之间。其当光源强度之展现与能量的施加,在时间上会稍有落后。且光源熄灭后若需再开启时，还需要经过一段冷却的时间。因而这种光源一旦启动后就要连续使用，不宜开开关关。在不用时可采“光栅”的方式做为阻断控制，避免开关次数太多而损及光源的寿命。

33、Newton Ring 牛顿环
当光线通过不同密度的介质，而其间的间隔(Gap，例如空气)又极薄时，则入射光会与此极薄的空气间隙发生作用，而出现五彩状同心圆的环状现象，因为是牛顿所发现的故称为“牛顿环”。干膜之曝光因系在“不完全平行”或散射光源下进行的，为减少母片与子片间因光线斜射而造成失真或不忠实现象，故必须将二者之间的间距尽可能予以缩小，即在抽真空下密接(Close Contact)，使完成药面接药面(Imulsion Side to Imulsion Side)之紧贴，以达到最好的影像转移。凡当二者之间尚有残存空气时，即表示抽真空程度不足。此种未密接之影像，必定会发生曝光不良而引起的解像劣化，甚至无法解像的情形。而此残存空气所显示的牛顿环，若用手指去压挤时还会出现移动现象，成为一种真空程度是否良好的指标。为了更方便检查牛顿环是否仍能移动之情形，最好在曝光台面上方装设一支黄色的灯光，以便于随时检查是否仍有牛顿环的存在。上法可让传统非平行光型的曝光机，也能展现出最良好曝光的能力。

34、Oligomer 寡聚物
原来意思是指介于已完成聚合的高分子，与原单体之间的“半成品”，电路板所用的干膜中即充满了这种寡聚物。底片“明区”部份所“占领”的干膜，一经曝光后即展开聚合硬化，而耐得住碳酸钠溶液(1%)的显像冲刷，至于未感光的寡聚物则会被冲掉，而出现选择性“ 阻剂 ”图案，以便能再继续进行蚀刻或电镀。

35、Optical Density 光密度
在电路板制程中，是指棕色底片上“暗区”之阻光程度，或“明区”的透光 程度而言，一般以D示之。另外相对于此词的是透光度(Transmittance，T)。 此二种与“光”有关的性质，可用入射光(Incident Light，Ii)及透出光(Transmitted light I) 两参数表达如下，即： T=I／Ii--------------------(1) D=－log T------------------(2) 将(1)式代入(2)中可得： D=－log (I／Ii )-----------(3) 现将“光密度”(D)，与“透光度”(T)，及棕色底片“品质”三者之关系，列表整理于下： (上表中 Dmim表示棕片明区的光密度；Dmax表示暗区的光密度) 生产线上所使用的棕色片 (Diazo)，需定时以“光密度检测仪”(见附图)去进行检查。一旦发现品质不良时，应即行更换棕片，以保证曝光应有的水准。此点对于防焊干膜的解像精度尤其重要。 光密度 D T%透光度 棕片品质 -------- ---------- --------- 0.00 100.0 棕色片明区 0.10 79.4 的光密度 Dmim 0.15 70.8 应低于 0.15 1.00 10.0 2.00 1.0 3.00 0.1 3.50 0.03 4.00 0.01 棕色片暗区 4.50 0.0065 的光密度 Dmax 5.00 0.001 应高于 3.50

36、Oxygen Inhibitor氧气抑制现象
曝光时干膜会吸取紫外线中能量，引起本身配方中敏化剂(Sensitizer)的分裂，而成为活性极高的“自由基”(Free Radicals)。此等自由基将再促使与其他单体、不含饱和树脂、及已部份架桥的树脂等进行全面的“聚合反应”。此反应须而无氧在状态下才能进行，一旦接触氧气后其聚合反应将受到抑制或干扰而无法完成，这种氧气所扮演的角色，即称为“Oxygen Inhibitor”。这就是为什幺当板子在进行其干膜曝光，以及曝光后的停置时间(Holding Time)内，都不能撕掉表面透明护膜(Mylar)的原因了。然而在实施干膜之“正片式盖孔法”(Tening)时，其镀通孔中当然也存在有氧气，为了减少上述Indibitor现象对该孔区干膜背面(与通孔中空气之接触面)的影响起见，可采用下述补救办法：1.在强曝光之光源强度下，使瞬间产生更多的自由基，以消耗吸收掉镀孔中有限的氧气。且形成一层阻碍，以防氧气自背面的继续渗入。2.增加盖孔干膜的厚度，使孔口“蒙皮”软膜的正面部份，仍可在Mylar保护下继续执行无氧之聚合反应。即使背面较为软弱，在正面已充份聚合而达到厚度下，仍耐得住短时间的酸性喷蚀，而完成正片法的外层板(见附图)。不过盖孔法对“无孔环”(Landless)的高密度电路板，则只好“无法度”了。这种先进高品级(High Eng)电路板，似乎仅剩“塞孔法”一途可行了。

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