FLASH单片机在税控器开发中的应用

文章摘要： 其中支持SPI 0和SPI 3两种方式的时序图分别如图4和图5所示。 对于不同的操作模式，即使在执行相同的操作时，其操作码也可能不同。如读存储页操作，SPI 0模式下的命令代码为52H，而SPI 3模式下的命令代码则为D2H。除读状态寄存器外，所有的命令格均示于图6图中的rr：代表保留位，建议清零。 操作时，MCU首先向AT45DBl6l发送1个命令字节，其后跟随24位地址数据(前两位为保留位，其后12位为页地址选择位，最后10位为页内开始字节地址)，最后根据不同的操作对SI执行不同的处理。如写操作后面紧跟着待写入的数据(高位在前)，那么，读存储页就要

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       其中支持SPI 0和SPI 3两种方式的时序图分别如图4和图5所示。

       对于不同的操作模式，即使在执行相同的操作时，其操作码也可能不同。如读存储页操作，SPI 0模式下的命令代码为52H，而SPI 3模式下的命令代码则为D2H。除读状态寄存器外，所有的命令格均示于图6图中的rr：代表保留位，建议清零。 

       操作时，MCU首先向AT45DBl6l发送1个命令字节，其后跟随24位地址数据(前两位为保留位，其后12位为页地址选择位，最后10位为页内开始字节地址)，最后根据不同的操作对SI执行不同的处理。如写操作后面紧跟着待写入的数据(高位在前)，那么，读存储页就要延迟32个SCK时钟周期以处理读操作，读缓冲区则需延迟8个SCK时钟周期。读状态寄存器的时序(SPI 0)如图7所示。

       读状态寄存器(SCK上升沿写入)时，在写入命令字节(57H)后，如没有地址数据，那么，在其后的8个SCK周期就可以直接从SO读取STATUS数据，而且可以连续读取，直到片选信号/CS置高为止。
基于AT45DBl61税控器的存储电路设计

       ◇系统硬件设计

       图8所示为AT45DB16l与W78E516B连接示意图。虽然FLASH的工作电压和MCU不同，但它们都不需要电平转换，两者仍能正常通讯，从而简化了电路设计，节约了系统成本。由于WP接高电平，因而去掉了FLASH前256个字节的写保护功能，并且不会对系统的安全造成隐患，同时还节约了单片机的I/O口资源。为了保证对FLASH操作的可靠性，上电后，可对FLASH在操作前复位一次。AT45DB16l的RDY没有占用单片机的I/O口，可在软件处理中通过读状态寄存器的方法来确定FLASH内部操作是否处于忙状态。

       ◇系统软件设计

       系统中包含智能卡的读写、FLASH读写和串口通讯处理操作，对于智能

卡读写和串口通讯处理，由于和本文的侧重点相关不大，就不再一一介绍了。FLASH的读写操作主要包括读缓冲区、读存储页、读状态寄存器、写缓冲区和写存储页。下面以FLASH的读写存储页的操作为例，简要介绍一下软件处理流程。

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