串行FLASH SSF1101在单片机

文章摘要：３工作原理ＳＳＦ１１０１具有４１９４３０４位主存储单元，分成５１２页面、每页面１０２４个字节。此外ＳＳＦ１１０１还包含有２个ＳＲＡＭ缓冲器，每个缓冲器有１０２４个字节，当主存储器内的１页正被编程时，缓冲器照样能接收输入数据。ＳＳＦ１１０１使用ＳＰＩ串口访问它的数据，因而硬件设计十分方便，系统可靠性很强，并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间，不需要高电压，而编程电压仍为电源电压。 图２所示是ＳＳＦ１１０１存储器的内部结构框图。ＳＳＦ１１０１通过简单的ＳＰＩ串行口进行数据存取，器件的操作由主机发出的指令控制，一个有效指令包括一字节４位操作码、４位器件地址以及目的缓冲器或主储器地址位置。当ＣＳ为

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３　工作原理

ＳＳＦ１１０１具有４１９４３０４位主存储单元，分成５１２页面、每页面１０２４个字节。此外ＳＳＦ１１０１还包含有２个ＳＲＡＭ缓冲器，每个缓冲器有１０２４个字节，当主存储器内的１页正被编程时，缓冲器照样能接收输入数据。ＳＳＦ１１０１使用ＳＰＩ串口访问它的数据，因而硬件设计十分方便，系统可靠性很强，并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间，不需要高电压，而编程电压仍为电源电压。 图２所示是ＳＳＦ１１０１存储器的内部结构框图。

ＳＳＦ１１０１通过简单的ＳＰＩ串行口进行数据存取，器件的操作由主机发出的指令控制，一个有效指令包括一字节４位操作码、４位器件地址以及目的缓冲器或主储器地址位置。当ＣＳ为０时，主机向器件ＳＣＫ端发送时钟信号，以引导操作码和地址从ＳＩ端写入到器件中。所有指令地址和数据都是先送高位。ＳＳＦ１１０１的操作命令如表２所列。表中的Ｘ可取任意值，它对器件操作没有影响。

表2 SSF1101操作命令表

操 作	命 令	器件地址	页面地址	缓冲区地址
读缓冲区1	1110	dddd	XXXXXXXXXXXX	BA11-BA0
读缓冲区2	1111	dddd	XXXXXXXXXXXX	BA11-BA0
写缓冲区1	0110	dddd	XXXXXXXXXXXX	BA11-BA0
写缓冲区2	0111	dddd	XXXXXXXXXXXX	BA11-BA0
使用内建擦除周期的从缓冲区1到闪存传送	1010	dddd	PA11-PA0	XXXXXXXXXXXX
使用内建擦除周期的从缓冲区2到闪存传送	1011	dddd	PA11-PA0	XXXXXXXXXXXX
不使用内建擦除周期的从缓冲区1到闪存传	0010	dddd	PA11-PA0	XXXXXXXXXXXX
不使用内建擦除周期的从缓冲2到内存传送	0011	dddd	PA11-PA10	XXXXXXXXXXXX
闪存到缓冲区1的传送	1100	dddd	PA11-PA0	XXXXXXXXXXXX
闪存到缓冲区2的传送	1101	dddd	PA11-PA0	XXXXXXXXXXXX
比较闪存页面和缓冲区1	0100	dddd	PA11-PA0	BA11-BA0
比较闪存页面和缓冲区2	0101	dddd	PA11-PA0	BA11-BA0
闪存直接读	0001	dddd	PA11-PA0	BA11-BA0
状态寄存器读	0000	dddd	XXXXXXXXXXXX	XXXXXXXXXXXX
片擦除	1001	dddd	XXXXXXXXXXXX	XXXXXXXXXXXX

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