1-wire系统中TM卡的单片机等效替换

文章摘要：下面是主机写0和写1时序。在初始化时序后，当主机总线从高电平拉至低电平时，就产生写时间隙。在开始15 μs之内，应将所需写的位送到总线上，从机在开始后15 ～60 μs间对总线采样。若为低电平，写入的位是0，如图4所示；若为高电平，写入的位是1，如图5所示。连续写多位间的间隙tREC应大于1 μs。图4 主机写0时序图5 主机写1时序对应于从机，是等待主机命令。从机等待主机命令的中断服务程序流程如图6所示。图6 从机等待主机命令的中断服务程序流程最后是主机读数据时序，如图7所示。主机总线在开始时刻从高电平拉至低电平时,总线只需保持低电平1～7 μs。之后在tLOWR时刻释放总线,一般在t

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　　下面是主机写0和写1时序。在初始化时序后，当主机总线从高电平拉至低电平时，就产生写时间隙。在开始15 μs之内，应将所需写的位送到总线上，从机在开始后15 ～60 μs间对总线采样。若为低电平，写入的位是0，如图4所示；若为高电平，写入的位是1，如图5所示。连续写多位间的间隙tREC应大于1 μs。

图4  主机写0时序

图5  主机写1时序

　　对应于从机，是等待主机命令。从机等待主机命令的中断服务程序流程如图6所示。

图6  从机等待主机命令的中断服务程序流程

　　最后是主机读数据时序，如图7所示。主机总线在开始时刻从高电平拉至低电平时,总线只需保持低电平1～7 μs。之后在tLOWR时刻释放总线,一般在tRDV时刻采样总线(15 μs处),读时间隙在tLOWR与tRDV之间有效。从机必须在tRDV时刻前拉高或拉低总线，主机在tRDV时刻采样,并在60～120 μs内释放总线。

图7  主机读数据时序

　　对从机来说，则为发送64位ID处理。程序处理的难点在于从机必须在15 μs之前拉高或拉低总线，以供主机在15 μs处采样总线。程序通过判断位地址00H处的状态来实现此功能。通过判断位地址01H处的状态来确定发送位0或发送位1。从机发送64位ID处理的中断服务程序流程如图8所示。

图8  从机发送64位ID处理的中断服务程序流程

　　在完整地实现一次ROM功能的过程中，从机首先等待主机发送的复位脉冲，待检测到后发图9实现ROM功能的流程送存在脉冲应答。随后，从机开始接收主机发送的ROM命令，并将其保存，以判断随后的操作。最后，从机发送TM卡的64位标识码，完成一次ROM命令的执行。实现ROM功能的流程如图9所示。

　　单片机的汇编程序如下：

　　　　ORG0000H
　　　　AJMPInit//跳到Init段
　　　　ORG0003H
　　　　AJMPJudge//跳到中断服务程序
　　Init: //初始化
　　　　MOVDPTR,#ID//ID表地址
　　　　MOVR5,#001H
　　　　MOVR7,#000H
　　　　CLR00H
　　　　SETB01H
　　　　SETBP3.2
　　　　LCALLDelay10s
　　　　CLRP3.2//拉低总线叫醒主机
　　　　LCALLDelay100us
　　　　SETBP3.2
　　　　SETBEA
　　　　SETBIT0
　　　　SETBEX0
　　MAIN:  AJMPMAIN//主循环
　　Judge:CLREX0//判断执行动作,关中断
　　　　JNB00H,SecondJ//跳到二次判断
　　ID_IN:JB01H,SEND1//从机发送TM卡64位标识码
　　　　CLRP3.2//发送位0
　　SEND1:SETBP3.2 //发送位1
　　　　LCALLDelay30us
　　　　MOVA,R5//R5循环左移
　　　　RLA
　　　　MOVR5,A
　　　　MOVA,#00H

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