内存硬盘参数的定义解释

文章摘要：● 内存延迟内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz，延迟为“5-6-6-18”，它们代表的意义从左往右分别是：CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CP

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　　● 内存延迟

　　内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。

　　上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz，延迟为“5-6-6-18”，它们代表的意义从左往右分别是：

　　CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

　　RAS－to－CAS Delay(tRCD)，对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

　　Row－precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间，即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

　　Row－active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。

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　　对于市面上一些拿延迟低作为卖点的内存，价格基本要比同样频率的内存高出许多，对于不喜爱超频的用户而言，就不知道购买哪种比较合适。所以笔者就做了一个测试，将内存频率固定，分别在CL5、CL6、CL7三种模式下测试内存性能，请看下图。

SiSoftware带宽测试对比

　　从测试中可以看出，内存延迟的变动无论对系统的性能变化、数据处理能力均表现不明显，所以在充足的带宽下内存延迟的变化对PC的性能影响几乎可以忽略不计。如今想要提升内存性能最捷径方法就是提升频率。

　　全文总结：在现阶段，各品牌之间硬盘的参数同质化非常严重，所以各品牌纷纷打出环保、节能等等招牌来吸引用户，在这里笔者提醒大家，根据自己实际需求在选择硬盘产品，做到有的放矢。

　　至于内存方面的选择，笔者建议用户需要慎重，毕竟现在内存价格上涨较快，主流2GB/800内存都已经涨破200元，并且上涨趋势不减；而DDR3方面相比这前也有大幅上涨。所以笔者建议学生用户还是多关注DDR2方面，毕竟DDR3内存性能提升并不明显，可以将省下来的钱用到显卡、CPU等方面。

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