将摩尔定律进行到底

[10-10 20:46:00]   来源:http://www.88dzw.com  主板维修   阅读:8685

文章摘要: 《一款基于45纳米CMOS制程的4.75GHz、采用数字偏频校正的小数分频器》 “A 4.75GHz Fractional Frequency Divider with Digital Spur Calibration in 45nm CMOS” 模拟无线信号处理往往具有先天性效率不足的问题,因此需要通过过滤手段来修正频谱杂质(称为“频率不匹配”)。过滤过程之所以必要,是因为纯本机振荡器(LO)信号对于实现良好的灵敏度和稳定的数据传输具有重要意义。以前的过滤方法需要用到许多感应器,这不仅占用空间、消耗能源,还会增加成本。本文在

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    《一款基于45纳米CMOS制程的4.75GHz、采用数字偏频校正的小数分频器》
    “A 4.75GHz Fractional Frequency Divider with Digital Spur Calibration in 45nm CMOS”
    模拟无线信号处理往往具有先天性效率不足的问题,因此需要通过过滤手段来修正频谱杂质(称为“频率不匹配”)。过滤过程之所以必要,是因为纯本机振荡器(LO)信号对于实现良好的灵敏度和稳定的数据传输具有重要意义。以前的过滤方法需要用到许多感应器,这不仅占用空间、消耗能源,还会增加成本。本文在业内率先提出了如何通过数字技术实施所需的压控振荡器(VCO)频率变换,并实现高LO纯度所需的电路校准。这种数字技术的优势在于:
    减少所需的组件数量,进而缩小芯片尺寸。
    采用创新技术,利用45纳米CMOS制程中门延迟的先天性可变特点来测量和校准不匹配问题。
    《一种基于32纳米CMOS制程、带寄生电阻补偿且基于ΔΣ的1.05伏、1.6毫瓦、0.45°C、3σ解析度的温度传感器》
    “A 1.05V 1.6mW 0.45°C 3σ-Resolution ΔΣ-Based Temperature Sensor with Parasitic-Resistance Compensation in 32nm CMOS”
    本文介绍了业内首个面向高-k金属栅极数字式32纳米CMOS制程微处理器应用的温度传感器。其多个遥感器被用于测量整个多核芯片的温度。处理器控制单元可与这些传感器协同工作,为较高层次的软件组件提供精确的温度信息,以协助其完成一系列管理和优化任务。在多核计算时代,散热/功耗管理是决定平台性能和能效的关键。这项技术成果的优势在于:
    可改善微处理器的电源管理能力。
    在确保可靠性的前提下,最大限度提高微处理器性能。
    通过多点热点温度测量来实现负载平衡,以限制泄漏。
    维持较低的运行压力,以延长处理器组件的寿命。
    采用多个传感器,实现更精准的识别和干涉。
    为小型移动设备提供更好的图形支持
    为了进一步提高移动设备上多媒体、图形、信号处理等最消耗计算性能和能源的应用操作的能效表现, SIMD计算至关重要。SIMD是指用单一指令来处理多个数据元素(如图像中的全部像素)。随着设备尺寸逐渐缩小和应用视觉效果日趋增强,人们需要更先进的技术,在降低能耗的同时完成更多的SIMD处理。当前SIMD加速电路的泄漏电流较高、电源管理能力有限,同时也无法很好地扩展至较低电压。
    《一款基于45纳米CMOS制程的 300毫伏、494GOPS/W且可重新配置的双电源4路SIMD向量处理加速器》
    “A 300mV 494GOPS/W Reconfigurable Dual-Supply 4-Way SIMD Vector Processing Accelerator in 45nm CMOS”
    本文将展示一款能够为任何平台(尤其是笔记本电脑、MID和其它小型设备)提供更丰富的多媒体内容和更逼真的视觉效果的45纳米制程原型SIMD加速器芯片。这项新技术能够实现:
    在标准电压下提供超出目前产品10倍的能效表现。
    其电路还能平滑扩展至超低压(从1.3伏降至230毫伏)。
    将电压降至300毫伏后,芯片能效可进一步提高8倍。
    业内领先的45纳米制程企业级处理器
    《45纳米制程8核企业级至强?处理器》
    “A 45nm 8-Core Enterprise Xeon? Processor”
    8核16线程企业级至强?处理器内含23亿个晶体管,均采用9层金属的 45纳米CMOS制造工艺。
    I/O链路使用每通道TX和RX补偿机制,使运行速度最高可达6.4GT/s。
    《45纳米制程IA处理器系列》
    “A Family of 45nm IA Processors”
    下一代IA处理器系列,基于45纳米高-k金属栅极CMOS制造工艺,拥有最多达8个内核、强化的酷睿?微架构、三级缓存和2路SMT。

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